GD32 flash 存储用户数据不成功

只看该作者 · 2018-9-17 10:38

本帖最后由 289172800 于 2018-9-17 10:42 编辑

1.使用GD32F103C8T6 芯片，使用的是ST 的库
2.测试代码 BASE_ADDRESS= 0x800fc00；
  FLASH_ErasePage(BASE_ADDRESS);
  FLASH_ProgramHalfWord(BASE_ADDRESS,  0x1234);
  FLASH_ProgramHalfWord(BASE_ADDRESS+2,  0x5678);
  FLASH_ProgramHalfWord(BASE_ADDRESS+4 , 0x7890 );
测试方法：用JFLASH 烧写hex，然后运行代码，然后用jflash 读取0x800fc00 地址发现所以内容都是 FF
用单步调试是可以存储成功的，全速运行，存储数据不成功。
已经按照要求改写了flash等待时间，和增加了 While( ! (FLASH->CR & 0x200 ) );

当时发现问题也是我代码编写调试的时候是可以的，实际运行时候发现存储数据掉电就没有了。

只看该作者 · 2018-9-19 22:56

调试时候可以，实际运行就不可以？仔细检查一下是不是哪里多了字符？

只看该作者 · 2018-9-20 19:25

你的时序有问题，参考我实战OK的。void EEPROM_EraseAndWriteOnePage(u32 addr, u32 *pbuf, u8 numberofword)
{
u8 n = 0;
fmc_state_enum fmc_state = FMC_READY;
/* unlock the flash program/erase controller */
fmc_unlock();
/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_state = fmc_page_erase(addr);  //GD32会自动擦掉这个地址所在的整个页

   while((n<numberofword) && (FMC_READY == fmc_state))
   {
fmc_state = fmc_word_program(addr, *pbuf);
addr += 4;
pbuf += 1; //
n++;
}
/* lock the main FMC after the erase operation */
fmc_lock();
}