低频率的晶体振荡电路设计

1万 · 2018-9-29 14:52

发现32.768kHz，38kHz，75kHz，153.6kHz，这些相对低频率的晶体振荡电路，都不太好设计；有没有有经验的出来聊聊呢？

1万 · 2018-9-29 15:32

网上找到一个这样的电路：

2万 · 2018-9-29 15:41

很早以前，用反相器测试过低频晶体振荡电路。
原来是高频的，起振很快。
换成低频32K晶体，不起振，干扰一下就起振，要串电阻并电阻才可以稳定振荡。
即使振荡了，起振时间还是很慢的。

1万 · 2018-9-29 21:28

gx_huang 发表于 2018-9-29 15:41
很早以前，用反相器测试过低频晶体振荡电路。
原来是高频的，起振很快。
换成低频32K晶体，不起振，干扰一 ...

用门电路实际试了153.6K的，发现振荡频率竟然是几M的。。。
不知道是晶振的什么参数影响到了

1万 · 2018-9-30 08:00

低频晶体的谐振能量一般也非常低，容易被你的偏置电阻吸收掉。

1万 · 2018-9-30 08:04

比如一个晶体谐振时的视在功率是1微瓦，电压是1V；你用1M的偏置电阻，吸收的功率在1V时也是1微瓦，能量就会损失掉无法保持振荡

2万 · 2018-9-30 08:10

此贴问题在论坛无解，因为教科书上没说，或者说教科书上的那点知识解释不了！当然，已知结果，拼凑个理论解释，是可以有的！

1万 · 2018-9-30 21:56

xukun977 发表于 2018-9-30 08:10
此贴问题在论坛无解，因为教科书上没说，或者说教科书上的那点知识解释不了！当然，已知结果，拼凑个理论 ...

请问有简单可行的低频晶体振荡电路吗？

1万 · 2018-9-30 21:57

戈卫东发表于 2018-9-30 08:04
比如一个晶体谐振时的视在功率是1微瓦，电压是1V；你用1M的偏置电阻，吸收的功率在1V时也是1微瓦，能量就会 ...

请问有实用些的电路吗

1万 · 2018-9-30 22:01

@king5555 请问有没有具体些的电路？
我试过在门输出端串联几k以下的电阻，但是没有什么效果，震荡频率还是几M的，而且是随电源电压改变而改变，晶体没有起到稳定频率的作用。

只看该作者 · 2018-9-30 22:17

典型的3点式起振,做过300K的.
他们建议我用门电路来做,但是我需要的是正弦波,不是方波.
3点式起振的电容要选好,不然不振的.

1万 · 2018-10-1 10:29

摸摸发表于 2018-9-30 22:17
典型的3点式起振,做过300K的.
他们建议我用门电路来做,但是我需要的是正弦波,不是方波.
3点式起振的电容要 ...

你的电路是不是类似这样的？

1万 · 2018-10-1 10:32

又从网络找到2个电路：

1万 · 2018-10-1 10:36

1万 · 2018-10-1 10:37

lfc315 发表于 2018-10-1 10:36

有时间先试试这个电路

1万 · 2018-10-1 17:58

lfc315 发表于 2018-10-1 10:36

R1尽量用大一些，比如20M。
反相器用4069UB，注意要带字母U。

1万 · 2018-10-1 18:07

不带U的接成线性应用可能会自激，大概会振荡在其他频率上。

2万 · 2018-10-2 09:45

lfc315 发表于 2018-10-1 10:37
有时间先试试这个电路

测试电路的目的是验证理论的，理论搞不清，测试还有何意义？

关于类似电路，网上好多误导性的言论:

《一般接crystal内部的芯片电路，原理上就是一个非门电路，非门在微观电路上可以看成一个增益个别大的放大器，接一个电阻，你可以看作是反馈电阻，它的作用是让震荡器更加稳定的工作。
这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区是没有增益的, 而没有增益是无法振荡的. 如果用芯片中的反相器来作振荡, 必须外接这个电阻, 对于CMOS而言可以是1M以上, 对于TTL则比较复杂, 视不同类型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引脚, 如在某些微处理器中, 常常可以不加, 因为芯片内部已经制作了, 要仔细阅读DATA SHEET的有关说明。

晶振旁的电阻（并联与串联）

一个晶振电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶振输入输出并上电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.。

并联M级电阻作用：

1.配合IC内部电路组成负反馈，移相，使放大器工作在线性区。

2.降低谐振阻抗，使谐振器易启动。

3.电阻取值从100k-20M都可以正常起振，但会影响脉宽比。

串联K级电阻作用：

1.和晶振串联的电阻常用来预防晶振过驱，限制振荡幅度。

并联在晶振上的两颗电容一般取值为20-30pf左右，主要用于微调频率和波形，并影响幅度。

》

2万 · 2018-10-2 09:50

刚开始逛论坛或看国产书的新手要记住一个规律:

一般凡是给经验值(例如楼上的M欧和k欧值)，或者说“根据经验，应该如何如何”，这是搞不懂原理瞎蒙的征兆，而不是代表经验丰富！

1万 · 2018-10-2 10:06

你抄错误观点放这里干什么。。。。。

低频率的晶体振荡电路设计

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