发新帖我要提问
返回列表
打印
[电路/定理]

MOSFET被击穿问题点

[复制链接]
1510|7
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
kexigang|  楼主 | 2018-10-8 21:25 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, AC, 电流, 电路


以下电路，Q9总是被击穿；
1.输出45W，有时会击穿，输出60W，有时会击穿；
2.测试输入电流在8A左右；
但是所用的这个MOS，额定ID=50A；请大神们帮忙分析问题点在哪里，谢谢。


使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
PPDDPPDD1234| | 2018-10-8 21:30 | 只看该作者
肯定在安全工作区范围外了。你仔细对比看看MOS管的那个图。

使用特权

评论回复 赏
板凳
勇俊| | 2018-10-8 21:49 | 只看该作者
PPDDPPDD1234 发表于 2018-10-8 21:30
肯定在安全工作区范围外了。你仔细对比看看MOS管的那个图。

同意

使用特权

评论回复 赏
地板
airwill| | 2018-10-9 07:09 | 只看该作者
除了电流容量足够外, 还要考虑耐压足够和功耗及散热足够

使用特权

评论回复 赏
5楼
tianxj01| | 2018-10-9 09:10 | 只看该作者
同步整流的BOOST线路，理论上2管子总损耗是接近的，因此总是坏一个位置管子（Q9）肯定不是电流了功耗了超安全范围。
考虑到同步整流工作模式，损坏有可能下面2点：
死区不够，直通。在BOOST状态下，瞬间功耗可以按照升压比大致测算，升压大于42V的，上管更容易挂，否则就是下管容易挂，如果你的升压在比如30V左右，那么因为这个原因挂下管的可能性非常大。
虽然BOOST线路理论上不考虑主电感漏感，但是由于板子走线什么等原因，在不合理情况下，寄生参数在大电流条件下，也容易产生尖峰电压，吸收不够，或者驱动减速不够造成尖峰上升过快，这个过耐压只会直接烧下管，这个检测比较简单，直接测试下管DS波形就可以了解，如果测试波形非常好，没有毛刺，那么99.9%就是共通造成了。

使用特权

评论回复 赏
6楼
一事无成就是我| | 2018-10-10 09:56 | 只看该作者
看样子是你电路的毛病，把FB的电容去掉，改接到输出R270，用来实现软启动和增加电源调整率，同时R270取样电阻是否取小一点，很多芯片是有偏置电流要求的，不要以为只耗电几个nA就可以不重视，那个电容在FB造成关掉延迟，也就是过调整

使用特权

评论回复 赏
评分
参与人数 1威望 +6 收起 理由
king5555 + 6 对!该电容改到并联于R270。
7楼
kexigang|  楼主 | 2018-10-12 12:26 | 只看该作者
airwill 发表于 2018-10-9 07:09
除了电流容量足够外, 还要考虑耐压足够和功耗及散热足够

嗯 ，说的有理，开始考虑不周到，没有考虑耐压，VD只有30V，升到24V，P-P电压就在30V左右。谢谢。

使用特权

评论回复 赏
8楼
XZL| | 2018-10-12 16:09 | 只看该作者
安全裕量不够

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

kexigang

76

主题

224

帖子

0

粉丝