关于N76E003 FLASH模拟EEPROM的问题

只看该作者 · 2018-10-20 21:30

用官方例程里的FLASH模拟EEPROM,可以读写数据，但读写数据时会改变XRAM里的原本数据的内容，不知是什么原因。看编译XRAM大概使用了200多个。看官方例程里，每次读写FLASH,先要把一页的内容读到XRAM中，例程中的
//Save APROM data to XRAM
xd_tmp = 0x80;
是把FLASH中的数据暂时读到这个地址为起始的XRAM中吗，这样程序中如果用到了这段XRAM,这段XRAM的内容不就被读出的数据覆盖掉了吗？