MOS管极间电容问题

发表于 2018-10-24 09:33

看资料说，MOS管电容上的电压不能突变，从而造成漏极电流Id滞后栅极输入电压Ui。电容电压不能突变是否可以理解为MOS管上电容的充电和放电有一个过程在，不能一下子给电容充满电和放完电，需要一定的时间。而这个时间就是造成Id滞后Ui的原因？

发表于 2018-10-24 11:56

Cgd 的充电就是利用 I'd 。

发表于 2018-10-24 12:54

I'd,滞后于 Ui 的原因是讯号源内阻，跟 Ug 的关系並不滞后！

发表于 2018-10-24 17:59

漏极电流滞后栅极输入电压Ug，并不是栅极电容造成的，原因有2：
1、虽然MOS管是单一载流子工作的器件，速度很快，但是其理论延时还是存在的。
2、栅极的米勒效应，这是一个基本无法绕过去的过程，只有米勒效应平台过去，Id才能跃迁。
你问题里面，说的是栅极输入电压，都到栅极本身了，其电容不电容不在讨论范围了。
如果说驱动芯片或者驱动线路----DS电流，那么这里的延迟，就主要取决于驱动能力和管子栅极电荷量的大小了。

发表于 2018-10-24 18:07

栅极电压之后，漏极电流对栅极电压还有一个延迟。。

发表于 2018-10-24 18:08

也就是说，一些管子，不论栅极驱动如何，都不会快速开关。

发表于 2018-10-24 19:50

FET也好，BJT也罢，你的设计已把硅的电子迁移率尽限发挥了否，若是，那就唯有了改用电子迁移率更高的材料，不过，这就跟本标题无关了。

发表于 2018-10-25 09:10

你说的对，由于结电容的存在，漏级电流肯定需要一个时间的额，这个很短的

[电子元器件] MOS管极间电容问题

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