周立功的smartARM开发板关于bank0-RAM bank1—FLASh的疑惑，跪求...

只看该作者 · 2018-11-6 21:50

D:\picture\1.png先说明一下情况：SmartARM2200开发板，外扩展了一块片外FLASH和一块片外SRAM，由短接块JP10 的CS0和CS1控制片选。bank0-ram 即CS0控制片外ram bank1-Flash即CS1控制片外flash，即板子上的bank0-RAM bank1-FLASH。
此开发板跳线连接（JP9）INSIDE 即boot0和boot1 均是高电平运行片内FLASH的程序。（JP9）outside 即 boot0=0 boot1=1时，运行有CS0控制的片外FLASH里面的程序，此时（JP10）需要短接cs0-flash cs1-ram 即bank0-flash bank1-ram。讲道理在运行片内FLASH的程序的时候，是不是不用管外部存储器的片选怎么连接呢？就是cs0和cs1连接情况应该不影响程序的运行啊。但是必须要cs0-ram cs1-flash 才能运行片内flash的程序。
请了解情况的大神帮忙解释一下啊

只看该作者 · 2018-11-6 21:53

外部存储器片选连接

只看该作者 · 2018-11-6 22:02

之所以提这样的问题，是因为我公司使用的也是NXP lpc2292 的片子，负责测试的工程师走了，按照留下的测试程序.hex 文件可以正常运行，但是没有这个测试程序的源文件。烧写了其他程序都不运行（硬件连接和程序设置都没有问题），所以我想搞清楚，LPC2292运行片内flash的程序，到底有满足什么条件。备注：公司的板子LPC2292连接的外部IO器件是FPGA。

只看该作者 · 2018-11-10 14:53

现在搞明白了，是由于分散加载文件设置的问题
ROM_LOAD 0x0
{
ROM_EXEC 0x00000000
{
      Startup.o (vectors, +First)
      * (+RO)
}

IRAM 0x40000000
{
      Startup.o (MyStacks)
      * (+RW,+ZI)
}

HEAP +0 UNINIT
{
      Startup.o (Heap)
}

STACKS 0x40004000 UNINIT
{
      Startup.o (Stacks)
}
}
将RW ZI放在片内RAM就不受BANK0  BANK1的影响了    如果RW ZI放在片外RAM中ERAM 0x80000000
{
      * (+RW,+ZI)
}
就要设置BANK0-ram  bank1-flash

周立功的smartARM开发板关于bank0-RAM bank1—FLASh的疑惑，跪求...

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