图 1.1 CRAM 存储单元的结构
图 1.2更加清楚地展示了CRAM存储单元的结构和读写方法。图中下方左侧是一个晶体管，当它导通时，电流可流过存储单元MTJ(磁性隧道结)，通过与参考值进行比较，判断存储单元阻值的高低，从而读出所存储的数据。当晶体管关断时，电流可流过编程线 1 和编程线 2，在它们所产生的编程磁场的共同作用下，使自由层的磁场方向发生改变，从而完成编程的操作。
图1.2 CRAM的存储单元结构即读 / 与模式
CRAM特性
z CRAM 读取/写入周期时间：35ns；
z 真正无限次擦除使用；
z 业内最长的寿命和数据保存时间——超过 20 年的非挥发特性；
z 单芯片最高容量为 64Mb；
z 快速、简单接口——16位或 8 位并行 SRAM、40MHz 高速串行 SPI接口；
z 具有成本效益——简单到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ)位单元；
z 最佳等级的软错误率——远比其它内存优异；
z 可取代多种存储器——集闪存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及 BBSRAM 的功能于一身；
z 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围；
z 符合 RoHS规范：无电池、无铅；
z 小封装：TSOP、VGA、DFN、DIP；
z 提供3.3V和5V两种工作环境
CRAM型号 | 容量 | 对应SRAM | 对应FLASH | 对应NVRAM |
CRAM1245-5 | 128K×8 | 628128 | 29F010 | HK1245 |
CRAM1255-5 | 512K×8 | 628512 | 29F040 | HK1255 |
CRAM1265-5 | 256K×8 | 628256 | —— | HK1265 |
CRAM1275-7 | 1M×8 | 6281000 | 29F080 | HK1275 |
CRAM1285-5 | 2M×8 | 6282000 | 49BV1630 | HK1285 |
CRAM1295-5 | 8M×8 | 6288000 | NANDFLASH | HK1295 |
CRAM12A5-5 | 4M×8 | 6284000 | —— | HK12A5 |
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