HK-CRAM系列梦幻磁介质存储器是一场非易失性存储器的革命，是对于非易失存储器依赖于电池的突破，是对于FLASH存储器读写次数限制及页面编程擦写模式限制的突破。其即保持了并口的单字节无限次数读写及对SRAM、FLASH、NVRAM等直接替代的方便性，又摒弃了保持数据对电池的依赖，同时克服了FLASH及EPROM编程及擦写的复杂性，是一款无语伦比的集可靠、方便、环保、高速、经济于一身的革命性存储介质。
工作原理
HONG KONG CRAM存储器内部结构由一个晶体管加一个MTJ （磁性隧道结存储单元）构成。MTJ内部有三个层面，如图 1.1所示，最上面的层为自由层，中间的是隧道结，下面的是固定层。自由层的磁场极化方向是可以改变的，而固定层的磁场方向固定不变。当自由层与固定层的磁场方向平行时，存储单元呈现低电阻；当磁场方向相反时，呈现高电阻。MRAM通过检测存储单元电阻的高低，来判断所存储的数据是 0 还是 1。此一磁阻效应可使CRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据
图 1.1 CRAM 存储单元的结构 图 1.2更加清楚地展示了CRAM存储单元的结构和读写方法。图中下方左侧是一个晶体管，当它导通时，电流可流过存储单元MTJ(磁性隧道结)，通过与参考值进行比较，判断存储单元阻值的高低，从而读出所存储的数据。当晶体管关断时，电流可流过编程线 1 和编程线 2，在它们所产生的编程磁场的共同作用下，使自由层的磁场方向发生改变，从而完成编程的操作。 图1.2 CRAM的存储单元结构即读 / 与模式
CRAM特性
z CRAM 读取/写入周期时间：35ns；
z 真正无限次擦除使用；
z 业内最长的寿命和数据保存时间——超过 20 年的非挥发特性；
z 单芯片最高容量为 64Mb；
z 快速、简单接口——16位或 8 位并行 SRAM、40MHz 高速串行 SPI接口；
z 具有成本效益——简单到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ)位单元；
z 最佳等级的软错误率——远比其它内存优异；
z 可取代多种存储器——集闪存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及 BBSRAM 的功能于一身；
z 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围；
z 符合 RoHS规范：无电池、无铅；
z 小封装：TSOP、VGA、DFN、DIP；
z 提供3.3V和5V两种工作环境 CRAM型号 | 容量 | 对应SRAM | 对应FLASH | 对应NVRAM | CRAM1245-5 | 128K×8 | 628128 | 29F010 | HK1245 | CRAM1255-5 | 512K×8 | 628512 | 29F040 | HK1255 | CRAM1265-5 | 256K×8 | 628256 | —— | HK1265 | CRAM1275-7 | 1M×8 | 6281000 | 29F080 | HK1275 | CRAM1285-5 | 2M×8 | 6282000 | 49BV1630 | HK1285 | CRAM1295-5 | 8M×8 | 6288000 | NANDFLASH | HK1295 | CRAM12A5-5 | 4M×8 | 6284000 | —— | HK12A5 |
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