小弟最近在用WINBAND的W25M02G做U盘，这款芯片实际上是用了两个W25N01G，然后用命令切换来达到2倍容量的。小弟第一次接触NAND FLASH的底层驱动，DATASHEET都翻N遍了，但就坏块管理和页区重写还有疑问。网上大多数的都是仅提供一般读写的驱动，没有针对坏块管理和重写，当然也有其他公司NAND FLASH的完整驱动，不过还是有关键差异性的，所以想请教使用过WINBAND的大神。
看DATASHEET介绍，该芯片提供坏块管理的命令，在命令介绍下面特别的用括号写着(SWAP BLOCK)，可以用好块的地址代替坏块的地址，连接关系被建立在芯片自带的LUT里面。这是说只要我使用这条命令后，芯片就帮我把坏块重新映射了么？当我写到这个坏块的时候自动根据芯片自己的LUT写到映射的好块上面吗？但这个芯片又特别说到它自己的LUT最多只有20个link，这是说如果有20个坏块就不能用了？ 关于坏块管理还有一个疑问，坏块有2种，一种是出厂就有的，一种是用着用着有的。如果在使用中某个块变成坏块，那么应该给这个坏块写一个标志位，我看别人的驱动是如果一个坏块第一页都写不上标志，就在第二页写标志，那如果该块都不能写了，又怎么标志这个块是坏块呢？
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楼主
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也不知道为什么会选择WINBAND的NAND FLASH， 我发现百度一搜相关结果居然只有34.。。。
