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N沟道增强型MOSFET TDM3550

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baijun55|  楼主 | 2018-11-16 13:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
N沟道增强型MOSFET TDM3550
一般描述一般特征
该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。◆RDS(ON)<1.35mΩ@ VGS =10V
这个装置是适合用作负载开关或在PWM◆高功率和电流处理能力
应用。◆表面贴装封装
◆可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)


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