STM32F103C8T6内部Flash存储实验

发表于 2018-11-18 10:17

前一段时间由于需要，特地测试了一下STM32内部Flash存储的的实验，查看了一些野火和正点原子的程序，感觉他们的读取数据都是32位的，所以自己亲测了8位和16位读读写，但是8位读写失败了。16位读写成功了。本次实验先在数组中存储一组数据，然后读取出来放到另一个数组中，串口打印输出。基本需要的都已经给了注释。大家需要的可以下载看看。开源共享，共同进步。

发表于 2018-11-19 16:55

太感谢了居然是源码

发表于 2018-11-20 09:04

观海发表于 2018-11-19 16:55
太感谢了居然是源码

是的

发表于 2018-11-20 10:08

手册说只能读16位的。读32位应该是分两次读16位。

发表于 2018-11-20 16:21

开源精神可嘉，感谢分享

发表于 2018-11-20 16:21

ruanhongyu 发表于 2018-11-20 10:08
手册说只能读16位的。读32位应该是分两次读16位。

请问您参考是哪个手册？

发表于 2018-11-20 17:12

F1系列的是《STM32F10xxx闪存编程》，F0系列的在参考手册（Reference manual）里。可以看看官方的基础例程。

发表于 2018-11-21 12:42

很有参考价值呀

发表于 2018-11-21 13:03

很好呀感谢分享

发表于 2018-11-22 15:51

549884464165

发表于 2018-11-22 17:42

哇好棒好棒啊啊啊啊

发表于 2018-11-26 09:38

不错顶一个

发表于 2018-11-26 23:56

这个简单，建议：捣腾一个flash虚拟EEPROM算法比较实用！

发表于 2018-11-27 09:52

这个不错，免外挂EEPROM，又能保存一些掉电数据。

发表于 2018-11-27 14:25

提示: 该帖被管理员或版主屏蔽

发表于 2018-11-27 22:03

分享不错支持一下

发表于 2018-11-30 12:25

可以免挂EEPROM了？

发表于 2018-11-30 21:42

开源可贵，值得学习啊

发表于 2019-1-2 14:20

但是FLASH是有写次数的，应有倒蹬的程序就好了。

发表于 2019-1-3 10:07

感谢分享

[STM32F1] STM32F103C8T6内部Flash存储实验

评论

相关帖子

评论

评论

浏览过的版块

精英会员奖章

奔腾之江水

常驻人口

技术高手奖章

技术新星奖章

涓涓之细流

技术领袖奖章

十世金身

坚毅之洋流

荣誉元老奖章

突出贡献奖章

沉静之湖泊

技术奇才奖章

七世轮回