工控产品烧MOS管，请教高手

登录 · 发表于 2011-8-23 10:10

输入由FPGA输入控制，输出是感性负载。现在出现2个烧MOS管现象：1、2个MOS都烧了（GS、DS都击穿了），2、5410烧坏（GS、DS都击穿了），3910只击穿GS，DS无击穿。查了好久没找出原因，请教高手！！！

发表于 2011-8-23 10:27

和你的后级电路有关，继电器需要个二极管，并且看看你的继电器的驱动电流的大小。

发表于 2011-8-23 10:42

估计你的两支MOS管存在“共同导通”问题。
门极上接10k欧电阻再并联10nF电容，其时间常数为0.1ms即100us，这还没有计算米勒电容(估计在10nF以上)。再加上TLP181并不是很快的光耦，其存储时间达40us(而且是负载电阻仅1.9k欧时)。
你的FPGA留出多少死区时间？

发表于 2011-8-23 11:04

驱动电流我们不是很大，跟规格上的16A上差很多，而且MOS里有个稳压二极管啊

发表于 2011-8-23 11:07

4楼认识错误。MOS里面不是稳压二极管。

发表于 2011-8-23 11:07

MOS体二极管并不能阻止直通时烧MOS

发表于 2011-8-23 11:54

ting hao

发表于 2011-8-23 11:59

本帖最后由 on_my_way 于 2011-8-23 12:04 编辑

驱动电压

发表于 2011-8-23 12:00

支持一下

发表于 2011-8-23 12:15

在你的FPGA内要有死区保护功能。估计你是没有做了。

发表于 2011-8-23 13:08

3# maychang

我们FPGA作协处理器，主芯片发信号，然后FPGA接受再处理，主芯片发出信号间隔1.7MS左右。

发表于 2011-8-23 13:11

我们现在不是一用就烧，烧的比例不是太高，但数量还是挺可观的

发表于 2011-8-23 13:25

2# wzf3151
我们输出直接接工控负载，我测了确实有反向电压，也差不多27v，也不会使MOS管击穿啊!

发表于 2011-8-23 14:09

不是电压性击穿，是热击穿，你没留死区，会有一段时间2只MOS管同时导通，瞬间电流非常大，导致击穿。

发表于 2011-8-23 14:56

LZ maychang老师说的对，你驱动能力不强，导致mosfet开关时间太长，这样就需要很大的死区时间才能保证不直通

发表于 2011-8-23 14:58

觉得14楼的推断可能性大些，想办法抓抓波形看呢

发表于 2011-8-23 16:16

MOS 里有个本二极管做续流用，觉得14楼分析到位，应该是没留死区造成的。

发表于 2011-8-23 16:25

呵呵！你的MOS管24V电源接反了哦！我做过实验的！

发表于 2011-8-23 16:46

两个管子同时导通的可能性很大，我现在也遇到这种问题。

发表于 2011-8-23 21:58

顶maychang老师~