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工控产品烧MOS管,请教高手

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楼主
a868247|  楼主 | 2011-8-23 10:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
wzf3151| | 2011-8-23 10:27 | 只看该作者
和你的后级电路有关,继电器需要个二极管,并且看看你的继电器的驱动电流的大小。

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板凳
maychang| | 2011-8-23 10:42 | 只看该作者
估计你的两支MOS管存在“共同导通”问题。
门极上接10k欧电阻再并联10nF电容,其时间常数为0.1ms即100us,这还没有计算米勒电容(估计在10nF以上)。再加上TLP181并不是很快的光耦,其存储时间达40us(而且是负载电阻仅1.9k欧时)。
你的FPGA留出多少死区时间?

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地板
a868247|  楼主 | 2011-8-23 11:04 | 只看该作者
驱动电流我们不是很大,跟规格上的16A上差很多,而且MOS里有个稳压二极管啊

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5
maychang| | 2011-8-23 11:07 | 只看该作者
4楼认识错误。MOS里面不是稳压二极管。

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6
ghost1325| | 2011-8-23 11:07 | 只看该作者
MOS体二极管并不能阻止直通时烧MOS

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7
seajas| | 2011-8-23 11:54 | 只看该作者
ting  hao

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8
on_my_way| | 2011-8-23 11:59 | 只看该作者
本帖最后由 on_my_way 于 2011-8-23 12:04 编辑

驱动电压

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9
kfzy6| | 2011-8-23 12:00 | 只看该作者
支持一下

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10
Tinnal| | 2011-8-23 12:15 | 只看该作者
在你的FPGA内要有死区保护功能。估计你是没有做了。

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11
a868247|  楼主 | 2011-8-23 13:08 | 只看该作者
3# maychang

我们FPGA作协处理器,主芯片发信号,然后FPGA接受再处理,主芯片发出信号间隔1.7MS左右。

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12
a868247|  楼主 | 2011-8-23 13:11 | 只看该作者
我们现在不是一用就烧,烧的比例不是太高,但数量还是挺可观的

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13
a868247|  楼主 | 2011-8-23 13:25 | 只看该作者
2# wzf3151
我们输出直接接工控负载,我测了确实有反向电压,也差不多27v,也不会使MOS管击穿啊!

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14
zjp816923| | 2011-8-23 14:09 | 只看该作者
不是电压性击穿,是热击穿,你没留死区,会有一段时间2只MOS管同时导通,瞬间电流非常大,导致击穿。

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15
zhaohe2001| | 2011-8-23 14:56 | 只看该作者
LZ  maychang老师说的对,你驱动能力不强,导致mosfet开关时间太长,这样就需要很大的死区时间才能保证不直通

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16
liyun0050| | 2011-8-23 14:58 | 只看该作者
觉得14楼的推断可能性大些,想办法抓抓波形看呢

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17
aaron96031| | 2011-8-23 16:16 | 只看该作者
MOS 里有个本二极管做续流用, 觉得14楼分析到位,应该是 没留死区 造成的。

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18
lonman8802| | 2011-8-23 16:25 | 只看该作者
呵呵! 你的MOS管24V电源接反了哦!我做过实验的!

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19
jin1song| | 2011-8-23 16:46 | 只看该作者
两个管子同时导通的可能性很大,我现在也遇到这种问题。

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20
zhlking| | 2011-8-23 21:58 | 只看该作者
顶maychang老师~

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