打印

关于NPN三极管 E和C反接会出现什么情况!

[复制链接]
10494|29
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
comeon1|  楼主 | 2018-11-29 00:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
各位坛友,问个问题,正常工作开关状态的三极管(NPN),如果将其E极和C极的极性对调会出现什么样的结果呢?本人做了实验,正常电路如下图一,这个时候三极管工作在饱和导通或者截止状态。当我把C和E极性兑换下,用来测试三极管是否损坏。按照我之前的观念三极管的VEBO通常很小,大约为5V,当给E极接电源正时,三极管很肯会被击穿。然而我做实现,当电源调到24V(图里的VCC,时间较长大约1min)时,无论我把B极短路到电源或者短路到地,三极管仍然没有损坏,为什么三极管没有损坏呢?(测试图见图二)。当我改进电路,把B极下拉的电阻4.7K去掉,然后再让E和C极性对调时候,同时1K电阻左端短路到地,发现调节VCC值,EB之间电压维持在5.86V左右,好像体现为某种稳压的特性。备注实际测试三极管用的NXP的 BC817 请教各位坛友,发表下自己的看法,谢谢!

3.jpg (12.15 KB )

图三

图三

2.jpg (13.21 KB )

图二

图二

1.jpg (13.72 KB )

图一

图一

3.jpg (12.15 KB )

3.jpg

2.jpg (13.21 KB )

2.jpg

1.jpg (13.72 KB )

1.jpg
评分
参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 对。B丶E等效为齐纳二极管,注意仿真不了。

相关帖子

沙发
comeon1|  楼主 | 2018-11-29 08:40 | 只看该作者
对。B丶E等效为齐纳二极管,注意仿真不了。
确实仿真不了,仿真的和实际差太远。问下,这个等效的齐纳二极管什么时候能雪崩击穿呢?

使用特权

评论回复
评分
参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 大致就是VEBO,模型沒有建构此参数,故无法仿真与此参数有关的狀態
板凳
tianxj01| | 2018-11-29 09:39 | 只看该作者
本帖最后由 tianxj01 于 2018-11-29 09:44 编辑
comeon1 发表于 2018-11-29 08:40
对。B丶E等效为齐纳二极管,注意仿真不了。
确实仿真不了,仿真的和实际差太远。问下,这个等效的齐纳二极 ...


根据各个管子工艺不同,BE反向等效的齐纳二极管电压差异会很大,反正实测从几V到10几V都有。
理论上,只要该击穿功耗不超过管子极限,都是可逆的、安全的。
好像该参数是叫VEBO吧。
记得好像9014什么的,齐纳电压为6.3V。
你仿真里面的那个管子的VEBO=8V。

使用特权

评论回复
地板
zzz3265| | 2018-11-29 09:45 | 只看该作者
这个就是反向耐压, 高于这个电压就会击穿, 原理跟稳压二级管一样
文档上一般是VEBO

击穿不代表损坏, 稳压管二极管一直工作在这个状态, 还有测量三极管耐压的仪器, 测试的就是击穿时的电压, 这个也叫软击穿

使用特权

评论回复
5
DavidDP| | 2018-11-29 10:47 | 只看该作者
这个主要是因为三极管的PN结类似于稳压二极管,一般二极管的的P区多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子,N区的多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。而稳压二极管的PN结和三极管的PN结是将P区多数载流子空穴减少,增加了少数载流子自由电子,N区是将多数载流子是自由电子减少,增加了少数载流子空穴。这样就是PN结具有了一定的反向导通性。

使用特权

评论回复
6
comeon1|  楼主 | 2018-11-29 11:01 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2018-11-29 09:39
根据各个管子工艺不同,BE反向等效的齐纳二极管电压差异会很大,反正实测从几V到10几V都有。
理论上,只 ...

我实际实验用的BC817,其VBEO为5V。这个时候管子的功耗怎样计算呢?实际测试中,把E极加到最大24V,三极管没有损坏。规格书给出的VBEO是指击穿吗?不是损坏的值? 可不可以这样理解因为基极串联1K电阻,限流导致BE之间的PN结,没有损坏呢?

使用特权

评论回复
评分
参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 对。有限流,把EB看成齐纳二极管即可。
7
comeon1|  楼主 | 2018-11-29 11:02 | 只看该作者
zzz3265 发表于 2018-11-29 09:45
这个就是反向耐压, 高于这个电压就会击穿, 原理跟稳压二级管一样
文档上一般是VEBO

规格书给出最大值 VBEO,自己认为是三极管击穿损坏的值呢

使用特权

评论回复
评分
参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 击穿实为导通。反接的最大功耗约0.75倍正接Pcmax,以前我实验值。
8
comeon1|  楼主 | 2018-11-29 11:03 | 只看该作者
DavidDP 发表于 2018-11-29 10:47
这个主要是因为三极管的PN结类似于稳压二极管,一般二极管的的P区多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子 ...

是二极管本身性质决定的,看它伏安曲线,确实是工作在反向击穿区了,不知道这个电压最大能到多少?

使用特权

评论回复
9
tianxj01| | 2018-11-29 11:04 | 只看该作者
comeon1 发表于 2018-11-29 11:01
我实际实验用的BC817,其VBEO为5V。这个时候管子的功耗怎样计算呢?实际测试中,把E极加到最大24V,三极 ...

当然了,你不限流去测试一下BE反向电压试试看?到击穿电压,直接就烧毁了。
串联一个合适的电阻,你怎么测都没问题,只要电压/电阻 不超过反向电流最大值和最大功耗,怎么都没事。

使用特权

评论回复
10
DavidDP| | 2018-11-29 13:54 | 只看该作者
comeon1 发表于 2018-11-29 11:03
是二极管本身性质决定的,看它伏安曲线,确实是工作在反向击穿区了,不知道这个电压最大能到多少? ...

这个询问一下原厂的FAE。

使用特权

评论回复
11
chunyang| | 2018-11-29 14:05 | 只看该作者
PN结击穿后要损坏的话,电流必须够,即导致所谓的“二次击穿”。限制PN结电流,使之不超过PN结可承受的范围,击穿并不会损坏PN结。

使用特权

评论回复
12
lihui567| | 2018-11-30 17:12 | 只看该作者
接反的话,三极管的基本作用就实现不了啊,应该不会损坏

使用特权

评论回复
13
hk6108| | 2018-12-1 00:37 | 只看该作者
β 大减,耐压低,线性可能也较差,但是,如果基射短接当二极管用,耐压反而高。

使用特权

评论回复
14
comeon1|  楼主 | 2018-12-1 09:45 | 只看该作者
chunyang 发表于 2018-11-29 14:05
PN结击穿后要损坏的话,电流必须够,即导致所谓的“二次击穿”。限制PN结电流,使之不超过PN结可承受的范围 ...

不知道什么极限下(电压) PN结损坏。

使用特权

评论回复
15
comeon1|  楼主 | 2018-12-1 09:48 | 只看该作者
lihui567 发表于 2018-11-30 17:12
接反的话,三极管的基本作用就实现不了啊,应该不会损坏

正常工作是正常接的,我接反是因为有实验要求反接时候,无功能,正接时候功能不能失效,所以反接试试。本以为三极管会直接烧掉,因为VEBO耐压在5V,没想到把电压调到24V,三极管也没损坏,正常接法,功能正常。

使用特权

评论回复
16
comeon1|  楼主 | 2018-12-1 09:50 | 只看该作者
hk6108 发表于 2018-12-1 00:37
β 大减,耐压低,线性可能也较差,但是,如果基射短接当二极管用,耐压反而高。 ...

百度知道回答也是这样的,我就是看看耐压能有多低,主要是看反接时候会不会坏三极管,还有会不会在基极产生大于MCU端口的电压

使用特权

评论回复
17
oldzhang| | 2018-12-1 12:38 | 只看该作者
以前好像见到过这样一个说法:反向PN结,6v一下为齐纳击穿,9v以上为雪崩击穿,6v--9v之间,两种击穿都有

使用特权

评论回复
18
comeon1|  楼主 | 2018-12-1 13:05 | 只看该作者
oldzhang 发表于 2018-12-1 12:38
以前好像见到过这样一个说法:反向PN结,6v一下为齐纳击穿,9v以上为雪崩击穿,6v--9v之间,两种击穿都有 ...

我调到24V都么有雪崩哦

使用特权

评论回复
19
oldzhang| | 2018-12-1 13:10 | 只看该作者
因为有串联的限流电阻,击穿后就是稳压管特性,be结击穿电压一般在10v以内的。

使用特权

评论回复
20
oldzhang| | 2018-12-1 13:12 | 只看该作者
齐纳击穿,和雪崩击穿,主要是内部击穿机理,与噪声有关,一般测试条件无法区分的

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

15

主题

186

帖子

1

粉丝