Nmos高速开关时候栅极电阻选择对mos开关时间的影响
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评论
@chunyang :感谢大神。
@wanming2008 :先把图画对了再说,而且也没有什么内置防高压二极管,MOS管内的寄生二极管是结构和工艺导致的必然,不是刻意做的,更不是用来防高压的。
二极管是封装问题。随便找了一个orcad里面的封装,不是我加的。只有一个mos内置二极管而已
二极管是封装问题。随便找了一个orcad里面的封装,不是我加的。只有一个mos内置的防高压保护的二极管。
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评论
@tyw :没解决问题呀。我的mos还是控制的效果不好。首先波形不够陡峭。然后另一个致命问题是接入负载之后,本来空载可以保持40ns的0V,现在变成40ns的0.8v了,可能是因为负载本身有电容特性。看了TI的模拟开关有8ns就可以开关成功的spdt。我想让他平时接入1.8V的A端口。然后瞬间接入0.1V的B端口40ns然后再接回去A的1.8V 只是电流只能200ma附近。我画个板子试试效果如何。
@wanming2008 :这么多大神回复你了,还不买帐,哈哈
@tyw T叔
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