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不知道如果去擦写这些高位空间

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楼主
wyjie|  楼主 | 2018-12-6 17:34 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
jiaxw| | 2018-12-6 17:39 | 只看该作者
然后呢?你是怎么应对这个的呢

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板凳
wyjie|  楼主 | 2018-12-6 17:43 | 只看该作者
如果我要对0x13000这个地址的扇区进行擦写操作的话,总是不成功。

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地板
jiaxw| | 2018-12-6 17:47 | 只看该作者

楼主程序可以公开吗?贴程序看下吧,这么说看不出什么原因

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5
wyjie|  楼主 | 2018-12-6 18:06 | 只看该作者
void Test_WriteFlash(void)
{
U16 i;
char* pdb;

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

//second segment
pdb = (int *)FLASH_TEST;
FCTL3 = FWKEY; //clear lock bit
FCTL1 = FWKEY + ERASE; //set erase bit

*pdb = 0;
FCTL1 = FWKEY + WRT; //dummy write
while ((FCTL3 & BUSY) > 0);
*pdb = 0x55;

//-- disable flash write
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;

}

当#define FLASH_TEST 0x2000时,能够把0x2000地址的扇区删除并对第一个 字节写入0x55.

当#define FLASH_TEST 0x13000时,对0x13000地址的操作则无法成功。

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6
午夜粪车| | 2018-12-6 18:09 | 只看该作者
额,0x2000地址是RAM吧

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7
huangchui| | 2018-12-6 18:12 | 只看该作者
还是多测试擦出几次的吧,擦出的时候注意电源的就可以的啦

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8
jiajs| | 2018-12-6 18:20 | 只看该作者
还有单片机里面的擦出是按照sector单元擦除的,主要擦出的sector的首地址的选取的

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9
zhanghqi| | 2018-12-6 18:25 | 只看该作者
这个需要注意的是地址的

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10
zhenykun| | 2018-12-6 18:29 | 只看该作者
注意IAR软件里的配置,不是程序的问题

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11
jiajs| | 2018-12-6 18:34 | 只看该作者
你的IO多少?

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12
wuhany| | 2018-12-6 18:38 | 只看该作者
为什么要擦除这些空间呢?

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13
jiajs| | 2018-12-6 18:41 | 只看该作者
楼主擦除成功了吗

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14
wuhany| | 2018-12-6 18:45 | 只看该作者
多测试擦出几次

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15
huangchui| | 2018-12-6 18:48 | 只看该作者
主要是sector的首地址的选取

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16
wyjie|  楼主 | 2018-12-6 18:51 | 只看该作者
嗯,我再好好缕一缕吧,有了好消息及时通知大家,结贴喽

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17
dirtwillfly| | 2018-12-6 21:17 | 只看该作者
可以参考这个帖子
http://www.21ic.com/app/mcu/201806/764606.htm

如果不是单独操作flash,在编译器配置里选择large模式就可以了

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