本帖最后由 威水哥 于 2018-12-7 12:45 编辑
01单元 半导体器件基础
半导体的导电特性
导体、绝缘体和半导体
本征半导体的导电特性
杂质半导体的导电特性
PN结
晶体二极管
二极管的结构与伏安特性
半导体二极管的主要参数
半导体二极管的等效电路 与开关特性
稳压二极管
晶体三极管
三极管的结构与分类
三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用
三极管的特性曲线
三极管的主要参数
三极管的开关特性
场效应管
结型场效应管
绝缘栅型场效应管
特殊半导体器件
发光二极管
光敏二极管和光敏三极管
02单元 基本放大电路
基本放大电路的工作原理
基本放大电路的组成
直流通路与静态工作点
交流通路与放大原理
放大电路的性能指标
放大电路的图解分析法
放大电路的静态图解分析
放大电路的动态图解分析
输出电压的最大幅度与非线性失真分析
微变等效电路分析法
晶体管的h参数
晶体管的微变等效电路
用微变等效电路法分析放大电路
静态工作点的稳定
温度变化对静态工作点的影响
工作点稳定的电路
场效应管放大电路
场效应管放大电路的静态分析
多级放大电路
多级放大电路的级间耦合方式
多级放大电路的分析方法
放大电路的频率特性
单级阻容耦合放大电路的频率特性
多级阻容耦合放大电路的频率特性
03单元 负反馈放大电路
反馈的基本概念和分类
反馈的基本概念和一般表达式
反馈放大电路的类型与判断
负反馈放大电路基本类型举例
电压串联负反馈放大电路
电流并联负反馈放大电路
电流串联负反馈放大电路
电压并联负反馈放大电路
负反馈对放大电路性能的影响
降低放大倍数
提高放大倍数的稳定性
展宽通频带
减小非线性失真
改变输入电阻和输出电阻
负反馈放大电路的分析方法
深度负反馈放大电路的近似计算
*方框图法分析负反馈放大电路
04单元 功率放大器
功率放大电路的基本知识
概述
甲类单管功率放大电路
互补对称功率放大电路
OCL类互补放大电路
OTL甲乙类互补对称电路
复合互补对称电路
变压器耦合推挽功率放大电路
05单元 直接耦合放大电路
概述
直接耦合放大电路中的零点漂移
基本差动放大电路的分析
基本差动放大电路
基本差动放大电路抑制零点漂移的原理
基本差动放大电路的静态分析
基本差动放大电路的动态分析
差动放大电路的改进
06单元 集成运算放大器
集成电路基础知识
集成电路的特点
集成电路恒流源
有源负载的基本概念
集成运放的典型电路及参数
典型集成运放F007电路简介
集成运放的主要技术参数
集成运放的应用
概 述
运放的基本连接方式
集成运放在信号运算方面的应用
集成运放在使用中应注意的问题
07单元 直流电源
整流电路
半波整流电路
全波整流电路
桥式整流电路
倍压整流电路
滤波电路
电容滤波电路
电感滤波电路
复式滤波电路
有源滤波电路
稳压电路
并联型硅稳压管稳压电路
串联型稳压电路的稳压原理
带有放大环节的串联型稳压电路
稳压电源的质量指标
提高稳压电源性能的措施
08单元 正弦波振荡电路
自激振荡原理
自激振荡的条件
自激振荡的建立和振幅的稳定
正弦波振荡电路的组成
LC正弦波振荡电路
变压器反馈式振荡电路
三点式LC振荡电路
三点式LC振荡电路的构成原则
电感三点式振荡电路
电容三点式振荡电路
克拉泼与席勒振荡电路（改进型电容三点式振荡电路）
石英晶体振荡器
石英晶体的基本特性和等效电路
石英晶振：并联型晶体振荡电路
石英晶振：串联型晶体振荡电路
RC振荡电路
RC相移振荡电路
文氏电桥振荡电路
09单元 调制、解调和变频
调制方式
调幅
调幅原理
调幅波的频谱
调幅波的功率
调幅电路
检 波
小信号平方律检波
大信号直线性检波
调 频
调频的特点
调频波的表达式
调频电路：变容二极管调频电路
调频与调幅的比较
鉴 频
对称式比例鉴频电路
不对称式比例鉴频电路
变 频
变频原理
变频电路
10单元 无线广播与接受
无线电广播与接收
无线电波的传播
超外差收音机
超外差收音机方框图
超外差收音机性能指标
LC谐振回路
LC串联谐振回路
LC并联谐振回路
输入回路
统 调
中频放大电路
自动增益电路
整机电路分析
1：半导体导电特性 ，导体、绝缘体和半导体
自然界的各种物质就其导电性能来说、可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导体具有良好的导电特性，常温下，其内部存在着大量的自由电子，它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。因而导体的电阻率很小，只有 金属一般为导体，如铜、铝、银等。
绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。在这类材料中，几乎没有自由电子，即使受外电场作用也不会形成电流，所以，绝缘体的电阻率很大，在 以上。
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在 之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ，若按百万分之一的比例掺入少量杂质（如磷）后，其电阻率急剧下降为 ，几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。
本征半导体的导电特性：
常用的半导体材料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。所谓单晶，是指整块晶体中的原子按一定规则整齐地排列着的晶体。非常纯净的单晶半导体称为本征半导体。
一、本征半导体的原子结构
半导体锗和硅都是四价元素，其原子结构示意图如图Z0102所示。它们的最外层都有4个电子，带4个单位负电荷。通常把原子核和内层电子看作一个整体，称为惯性核，如图Z0101所示。
惯性核带有4个单位正电荷，最外层有4个价电子带有4个单位负电荷，因此，整个原子为电中性。
二、本征激发
一般来说，共价键中的价电子不完全象绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量（如光照、升温、电磁场激发等），一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为自由电子。
理论和实验表明：在常温（T＝300K）下，硅共价键中的价电子只要获得大于电离能EG（= 1.1eV）的能量便可激发成为自由电子。本征锗的电离能更小，只有0.72 eV。
当共价键中的一个价电子受激发挣脱原子核的束缚成为自由电子的同时，在共价键中便留下了一个空位子，称为"空穴"。当空穴出现时，相邻原子的价电子比较容易离开它所在的共价键而填补到这个空穴中来使该价电子原来所在共价键中出现一个新的空穴，这个空穴又可能被相邻原子的价电子填补，再出现新的空穴。价电子填补空穴的这种运动无论在形式上还是效果上都相当于带正电荷的空穴在运动，且运动方向与价电子运动方向相反。为了区别于自由电子的运动，把这种运动称为空穴运动，并把空穴看成是一种带正点荷的载流子。
电子一空穴对
本征激发
复合：当自由电子在运动过程中遇到空穴时可能会填充进去从而恢复
一个共价键，与此同时消失一个"电子一空穴"对，这一相反过程称为复合。
动态平衡：在一定温度条件下，产生的"电子一空穴对"和复合的"电子一空穴对"数量相等时，形成相对平衡，这种相对平衡属于动态平衡，达到动态平衡时"电子一空穴对"维持一定的数目。
可见，在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子，而金属导体中只有自由电子一种载流子，这也是半导体与导体导电方式的不同之处。
本征半导体的导电能力很弱，热稳定性也很差，因此，不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。
一、N型半导体
在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。如图Z0103所示。
由图可见，磷原子最外层有5个价电子，其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构，多余的1个价电子在共价键之外，只受到磷原子对它微弱的束缚，因此在室温下，即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子，游离于晶格之间。失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子，又称施主杂质。
在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的空穴的数目不变。这样，在掺入磷的半导体中，自由电子的数目就远远超过了空穴数目，成为多数载流子（简称多子），空穴则为少数载流子（简称少子）。显然，参与导电的主要是电子，故这种半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。
二、P型半导体
在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占据晶格上的某些位置，如图Z0104所示。由图可知，硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3个价电子组成完整的共价键，而与其相邻的另1个硅原子的共价键中则缺少1个电子，出现了1个空穴。这个空穴被附近硅原子中的价电子来填充后，使3价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时，邻近共价键上出现1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用，故称为受主原子，又称受主杂质。
在本征半导体中每掺入1个硼原子就可以提供1个空穴，当掺入一定数量的硼原子时，就可以使半导体中空穴的数目远大于本征激发电子的数目，成为多数载流于，而电子则成为少数载流子。显然，参与导电的主要是空穴，故这种半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。
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