打印

关于温结问题

[复制链接]
2185|18
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
jwwhy|  楼主 | 2007-11-13 15:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
尤新亮| | 2007-11-13 16:24 | 只看该作者

没有直接关系

使用特权

评论回复
板凳
chunyang| | 2007-11-13 16:51 | 只看该作者

那你要查该管子的封装热阻

再根据你的应用环境和管子的导通电阻计算,不过这不是件简单的事,基本数据都未必能全部得到。

使用特权

评论回复
地板
maychang| | 2007-11-13 20:49 | 只看该作者

楼主要的最大电流

与电流是连续还是脉冲大有关系。如果是脉冲,还与脉冲的持续时间以及占空比有关。

使用特权

评论回复
5
davidli88| | 2007-11-13 21:01 | 只看该作者

半导体器件的散热

管芯热量的散发,经过以下途径:管芯-->封装-->散热器-->环境。

每一个箭头代表一个热传递过程,每一个热传递过程都会有相应的热阻。

第一个箭头是管芯到封装的热阻,可以在datasheet中查到,以C/W表示;
第二个箭头代表器件封装表面到散热器的热阻,受接触面积、接触面光滑度、导热硅脂等因素有很大关系;
第三个箭头代表散热器到环境的热阻,受散热器材料体积、表面积、鳍形、涂层材料、颜色等有关,还与空气密度、流速有关。

实际使用中,通过了解器件表面温度及对应功耗下的封装热阻,可大致推算半导体结温。

使用特权

评论回复
6
edanzg| | 2007-11-13 21:04 | 只看该作者

关键是看其工作在开关状态下还是工作在放大状态

使用特权

评论回复
7
jwwhy|  楼主 | 2007-11-15 14:42 | 只看该作者

继续请教...


  那如果mOS管工作在完全导通的状态,通过的电流是10A,温度能达到多少度呢


怎么计算呢 

使用特权

评论回复
8
davidli88| | 2007-11-15 14:49 | 只看该作者

温度和温升是两码事

MOSFET的管耗,可在DATASHEET中查找到Rds这个参数,即可求出导通损耗,然后查它的封装热阻,求得温升。

管子的表面温度,跟环境温度、温升有关。

使用特权

评论回复
9
尤新亮| | 2007-11-15 14:51 | 只看该作者

需要一些数据

耗散功率,管子热阻,散热器热阻,环境温度.还有其它如安装型式,冷却方式等.
---------------------------------------------------------------------
davidli88 发表于 2007-11-13 21:01 技术交流 ←返回版面    

5楼: 半导体器件的散热 

管芯热量的散发,经过以下途径:管芯-->封装-->散热器-->环境。

每一个箭头代表一个热传递过程,每一个热传递过程都会有相应的热阻。

第一个箭头是管芯到封装的热阻,可以在datasheet中查到,以C/W表示;
第二个箭头代表器件封装表面到散热器的热阻,受接触面积、接触面光滑度、导热硅脂等因素有很大关系;
第三个箭头代表散热器到环境的热阻,受散热器材料体积、表面积、鳍形、涂层材料、颜色等有关,还与空气密度、流速有关。

实际使用中,通过了解器件表面温度及对应功耗下的封装热阻,可大致推算半导体结温。
 
 

使用特权

评论回复
10
michael_li| | 2007-11-15 16:36 | 只看该作者

要计算还真困难

使用特权

评论回复
11
davidli88| | 2007-11-15 16:40 | 只看该作者

功率电路,热设计是很重要的

如汽车面板上的音响主机,BTL电路输出4*40W功率,那颗功放IC的表面温度高达100度,对热阻方面,不能有丝毫大意。

使用特权

评论回复
12
尤新亮| | 2007-11-15 16:44 | 只看该作者

精确计算确有困难

取决于测量的困难,以及参数取值的精准程度.
有经验的人(例如davidli88)还是不难测算出各个数据,都能满足一般工程需求.

使用特权

评论回复
13
jwwhy|  楼主 | 2007-11-16 08:57 | 只看该作者

继续请教...


  看看我简单的计算对不对

 我的功耗为PCM=10A*10A*0.014R=1.4W

  管芯到三极管散热器的热阻为1.36C/W

  我没有外加散热片  所以三极管到环境的热阻为62.5C/W
 
 然后计算温结 (62.5+1.36)*1.4=119C


不会有那么高吧 119度?

使用特权

评论回复
14
jwwhy|  楼主 | 2007-11-19 10:35 | 只看该作者

大虾们


  怎么不说话了呢 ?

  请看看我上面计算的对不对,如果不对,应该怎么计算呢 ?

使用特权

评论回复
15
尤新亮| | 2007-11-19 10:43 | 只看该作者

计算过程是对的

不知数据是否对
注意一点,"119C"是温升,还要加上环境温度,才是结温.

使用特权

评论回复
16
jwwhy|  楼主 | 2007-11-19 17:25 | 只看该作者

继续..


  那就是我们实际可以测量得到的温度是1119C加环境温度吗


  还有如果是,那时间要多久才可以达到怎么高的温度呢?


 如果我不加散热片的话,一般我们选择结温不超过器件最大结温的多少呢

使用特权

评论回复
17
zjp8683463| | 2007-11-22 11:11 | 只看该作者

先要根据芯片结温结计算出产生一定温差的能量

再根据公式:能量(J)=结温*温差=U(压降)*I,求I

使用特权

评论回复
18
赤铸| | 2007-11-22 23:18 | 只看该作者

原则:结温越低越好

不超过最大极限就“几乎”不会坏
但事实上,“坏”是随机事件,温度越高几率越高,所以结温越低可靠性越高
所以要看你的可靠性要求

时间多久取决于热惯性(热容),但不要指望靠热容降温

使用特权

评论回复
19
杨真人| | 2007-11-23 04:15 | 只看该作者

上面很多大牛.

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

83

主题

281

帖子

0

粉丝