VGS

发表于 2018-12-10 12:50

本帖最后由付金亮于 2019-1-16 07:41 编辑

例如VDS=20V耐压的的管子，VGS一般是+/-8V，超过这个范围是会损坏还是内阻会下降，很多种说法，希望有大侠能解释清楚，谢谢。

发表于 2018-12-10 12:53

高了会击穿，低了导通内部加大直到不导通

发表于 2018-12-10 14:07

gx_huang 发表于 2018-12-10 12:53
高了会击穿，低了导通内部加大直到不导通

我了解的是高于+8V是不会击穿，只是内阻加大而已

发表于 2018-12-10 14:09

从哪里了解到的这个。。。。

发表于 2018-12-12 07:29

数据手册有输入特性方面的介绍, 还有图表可以参考

发表于 2018-12-17 14:29

高于+8V击穿不击穿不是VDS说了算的，要看我高兴不高兴

发表于 2018-12-28 20:44

VGS的事，和VDS无关，看看BVGS是多少就行，一般VGS打坏器件需要超过max标称值的4倍左右，比如标称8V的器件，加20V一般不会坏掉。至于VGS=8V时候的RDON和VGS=20V时候的RDON还没注意过，理论上20V时候更低。。。

发表于 2018-12-29 09:16

付金亮发表于 2018-12-10 14:07
我了解的是高于+8V是不会击穿，只是内阻加大而已

你很大可能是了解错了

发表于 2019-1-5 10:44

难怪说 BJT 的跨导比 MOSFET 还高了！

发表于 2019-1-7 09:50

高了会击穿，这个根据电路来调试,选合适的

发表于 2019-1-7 17:23

可能会冒烟

发表于 2019-1-8 22:24

一无所知的一修发表于 2018-12-28 20:44
VGS的事，和VDS无关，看看BVGS是多少就行，一般VGS打坏器件需要超过max标称值的4倍左右，比如标称8V ...

为什么VGS的和VDS无关？可以给我从MOSFET内部沟道的原理上解释下吗？？
我碰到过VDS击穿，VGS也穿了，请赐教

登录 · 发表于 2019-1-8 22:26

请解释下