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VGS

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楼主
付金亮|  楼主 | 2018-12-10 12:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
内阻, 管子
本帖最后由 付金亮 于 2019-1-16 07:41 编辑

例如VDS=20V耐压的的管子，VGS一般是+/-8V，超过这个范围是会损坏还是内阻会下降，很多种说法，希望有大侠能解释清楚，谢谢。

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沙发
gx_huang| | 2018-12-10 12:53 | 只看该作者
高了会击穿，低了导通内部加大直到不导通

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板凳
付金亮|  楼主 | 2018-12-10 14:07 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2018-12-10 12:53
高了会击穿，低了导通内部加大直到不导通

我了解的是高于+8V是不会击穿，只是内阻加大而已

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地板
戈卫东| | 2018-12-10 14:09 | 只看该作者
从哪里了解到的这个。。。。

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5楼
airwill| | 2018-12-12 07:29 | 只看该作者
数据手册有输入特性方面的介绍, 还有图表可以参考

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6楼
xiaosun| | 2018-12-17 14:29 | 只看该作者
高于+8V击穿不击穿不是VDS说了算的，要看我高兴不高兴

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7楼
一无所知的一修| | 2018-12-28 20:44 | 只看该作者
VGS的事，和VDS无关，看看BVGS是多少就行，一般VGS打坏器件需要超过max标称值的4倍左右，比如标称8V的器件，加20V一般不会坏掉。至于VGS=8V时候的RDON和VGS=20V时候的RDON还没注意过，理论上20V时候更低。。。

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8楼
Siderlee| | 2018-12-29 09:16 | 只看该作者
付金亮 发表于 2018-12-10 14:07
我了解的是高于+8V是不会击穿，只是内阻加大而已

你很大可能是了解错了

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9楼
hk6108| | 2019-1-5 10:44 | 只看该作者
难怪说 BJT 的跨导比 MOSFET 还高了！

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10楼
meiyaolei| | 2019-1-7 09:50 | 只看该作者
高了会击穿，这个根据电路来调试,选合适的

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11楼
pleee| | 2019-1-7 17:23 | 只看该作者
可能会冒烟

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12楼
ssc564023652| | 2019-1-8 22:24 | 只看该作者
一无所知的一修 发表于 2018-12-28 20:44
VGS的事，和VDS无关，看看BVGS是多少就行，一般VGS打坏器件需要超过max标称值的4倍左右，比如标称8V ...

为什么VGS的和VDS无关？可以给我从MOSFET内部沟道的原理上解释下吗？？
我碰到过VDS击穿，VGS也穿了，请赐教

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13楼
ssc564023652| | 2019-1-8 22:26 | 只看该作者
请解释下

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