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[射频芯片]

高频MOS管输入输出匹配参数怎么选

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楼主
QQ1838766976|  楼主 | 2018-12-11 21:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, MOS管, 输入输出, os, 功放
谁知道高频MOS管输入输出匹配参数怎么选啊，做功放，好多国产，进口高频管要么参数不全，要么给的参数和实际工作点不同，有设计参考吗？

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沙发
QQ1838766976|  楼主 | 2018-12-11 22:06 | 只看该作者
重复发了，怎么删除啊

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板凳
wf.yang| | 2019-1-16 07:50 | 只看该作者
这种情况，确实为难。

输出匹配，可以先假定晶体管所需要的负载阻抗为实数，根据 Vm = （0.8 ~ 0.9）VCC，P = Vm ^2 / （2R）求出晶体管的负载阻抗。

然后把放大器的阻抗ZL通过输出匹配网络变换，使其实部等于R。

晶体管输入端经过简单匹配(无需太好）。  

加电，用网络分析仪测试小信号增益，能达到晶体管的标称增益即可。

然后，进行功率测试，试探性调整晶体管负载阻抗的虚部，微调实部，使线性指标达到预定要求。

输出匹配网络就算基本完成了。


输入匹配网络，性对容易一些，晶体管 + 输出匹配网络 + 负载，然后加偏压，在确保无振荡的条件下，可以用网络分析仪测试晶体管的输入阻抗。

如果有振荡，可采取措施解决之，比如引入吸收电阻。

依测得的输入阻抗，设计输入匹配网络，然后连接、调试。直至合格。

过程中的一些具体注意事项，自己考虑吧。主要是保护仪器，保护晶体管。

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地板
无踪无痕| | 2019-2-22 16:16 | 只看该作者
路过看看。
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