The P24C512B is a 512-Kbit I2C-compatible Serial EEPROM (Electrically Erasable Programmable Memory)
device. It contains a memory array of 64 K × 8 bits, which is organized in 128-byte per page.
P24C512B provides the following devices for different application.
作为半导体行业的创新者，普冉推出的110nm非易失性存储器具备业界领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗，在智能电网、汽车前装、工业控制、以及新兴的IoT领域广泛应用。普冉在业界率先采用先进BCD技术开发的一体化无刷直流风机驱动芯片与市场首屈一指的家电和系统制造商密切配合，在家电、工业和PC领域取得极大成长。普冉配合国内领先的半导体企业开发的40-55nm高安全Flash产品也成为国内金融IC产品打破国外垄断的先行者和贡献者。
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