一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多）。此外，SBD是根据漂移现象产生电流的，不会积累，也无须移去多余的载流子，因此也就不存在正向恢复或反向恢复现象。这就是SBD的莎Ⅱ很小的缘故。输出电压为4～5V的开关转换可以选用PIV为25 V或45 V的Si－SBD。例如1N6492、lN639l、1N6392等。SBD的缺点是：反向漏电流比普通二极管大得多，如图1所示的二极管伏安特性比较。这是因为Si－SBD的结电容较大的缘故，如USD45型Si－SBD的结电容约为4700 pF，而UFRD的结电容仅为5～150 pF，GaAs－SBD的结电容也只有100～500 pF。
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二极管伏安特性的比较
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图1 二极管伏安特性的比较
有关各种快速开关二极管的参数见表1～表3c。
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表1 几种典型功率二极管的主要参数
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表2 Si-SBD和UFRD参数级别的比较（1级最高）
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表3 UFRD和Si-SBD、GaAs－SBD的主要参数
GaAs-SBD的反向恢复时间不大于10ns。适用于高频、高速动作的电路及电压稍高的电路，现已经实用化。例如，日本生产的GaAs－SBD，其参数规格有：2.5～7 A，150～180 V（uF＝0.9 V，trr＝7～10 ns，IR＝1～3mA），以及IA，350 V（UF＝1.5 V，trr＝5 ns，IR＝1 mA）。
此外，GaAs－SBD的其他特点还有：开关噪声小，温度稳定性好（结温可达－ 40～150℃）。
如图6所示为GaAs－SBD（PIV＝180 V）、Si－SBD（PIV＝90V）与FRD（PIV＝200 V）三种功率开关二极管的反向恢复过程中电流波形的比较。由图可知，与后两种二极管比较GaAs－SBD的反向恢复时间短，反向电流峰值小。
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图6 三种功率开关二极管电流反向恢复过程的波形zD＝r（t）比较
表1是各种典型功率（整流）二极管的主要参数比较表。表2及表3比较了
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UFRD、Si-SBD和GaAs-SBD的参数。在表3中di/dr＝100 A/pts，f＝100 kHz。更多请关注B120-13-F：http://www.dzsc.com/ic-detail/9_1061.html
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