双N沟道mos buck电路上电烧mos

只看该作者 · 2019-1-6 21:39

本帖最后由 Wwilliam 于 2019-1-7 13:12 编辑

大家好，在此发帖请教个问题，48V转13V非隔离buck直流电路。现在设定好25A负载后上电测试会出现板子上其中一个mos烧坏的现象，把坏的mos换了再测就不会再出现问题。
我用示波器测良品mos DS电压最高是64V，低于手册标注的最高80V，栅极开启电压15V，低于手册标注的最高25V，mos开关的时间（上升沿和下降沿）够短，产品有限流保护，30A时电压会被拉很低9-10V。
请问该怎么去测量和分析？？谢谢了。

只看该作者 · 2019-1-7 09:08

有大师能指点一下吗

1万 · 2019-1-7 10:20

完全不知道你在说什么。
这种问题不配图就不要说了吧。

只看该作者 · 2019-1-7 11:23

戈卫东发表于 2019-1-7 10:20
完全不知道你在说什么。
这种问题不配图就不要说了吧。

附了谢谢

只看该作者 · 2019-1-7 13:12

跟G S之间都没加电阻关系大不大？

1万 · 2019-1-7 16:21

检查是不是散热问题，
检查是不是12V建立时间太长，导致驱动电压掉落MOS管驱动不足过热，

只看该作者 · 2019-1-7 17:30

戈卫东发表于 2019-1-7 16:21
检查是不是散热问题，
检查是不是12V建立时间太长，导致驱动电压掉落MOS管驱动不足过热， ...

建立时间太长什么意思？有铝条散热，12V 25A长时间工作一会没事的

1万 · 2019-1-7 18:59

那你把C7增大一些试试看，比如说，同样的两个并联。

只看该作者 · 2019-1-8 20:52

戈卫东发表于 2019-1-7 18:59
那你把C7增大一些试试看，比如说，同样的两个并联。

能告知根本点有可能是哪方面导致吗

只看该作者 · 2019-1-8 21:27

你良品MOS管DS都64V了，烧MOS的原因很有可能是过大电流时，PCB线上的寄生电感产生反向电动势，叠加在DS上，然后MOS就击穿了
1、你可以用示波器抓一下开关大电流是DS的实际峰值电压
2、用更高耐压的MOSFET试一下
3、你这个N-MOS电路简单的可以...

1万 · 2019-1-9 12:52

Wwilliam 发表于 2019-1-8 20:52
能告知根本点有可能是哪方面导致吗

3845的供电可能有问题。启动时供电不足。

1万 · 2019-1-9 12:58

你这双管并联在驱动不足时退化成单管工作，如果不能及时建立起输出电压那个单独工作的管子可能过热烧掉变成短路。
你的电路大概处于比较临界的状态，大部分可以单管启动成功，少部分不成功烧掉。

只看该作者 · 2019-1-9 16:57

戈卫东发表于 2019-1-9 12:58
你这双管并联在驱动不足时退化成单管工作，如果不能及时建立起输出电压那个单独工作的管子可能过热烧掉变成 ...

谢谢

只看该作者 · 2019-1-9 16:57

ssc564023652 发表于 2019-1-8 21:27
你良品MOS管DS都64V了，烧MOS的原因很有可能是过大电流时，PCB线上的寄生电感产生反向电动势，叠加在DS上， ...

谢谢

只看该作者 · 2019-1-10 15:58

如果你换了一个MOS就好了，不再出问题，那么，原因无非2个
1、管子采购不对，参数不合格。当然换个合格的就挺过去了。
2、参数设置不合理，实际承受数据超过采购管子正常水平，在换一个，参数其实比坏的那个好点，也就好了。
一般来说，正品管子，参数离散性不大，换一个就好，第一种原因可能性比较大。
对于线路，有一个疑问就是对于你这样大电流的应用，貌似384X系列的驱动目标MOS管能力有点不够。可能这也会是造成损坏的一个可能性。