本帖最后由 brucewoo 于 2019-1-31 13:05 编辑
大家好，请教一问题。想使用MOS做电路开关，应用在电池供电单片机控制的应用中。
一种是不需要频繁开关的，做一些器件的总电源通断控制，另一种是使用PWM信号作为控制。
MOS用法不熟悉，所以选择了不同组阻值的几个电阻做了一下简单的实验，见上表。
实验时采用锂电池做电源，sig端接电池负极，电路接通，测量几个位置的电压的绝对值。
从这个实验看，MOS管内部G-S间的电阻趋于无穷大，所以Rg+Rp的电压降之和基本就是Vdd-Sig(GND)的电压。
所以，在下想请教一下：
1，例如这个AO3401，手册上VGth的值在1V左右，那么，计算Rg和Rp的阻值比例，应该得出G点的电压。
Rp越大，Rg越小，电压越接近sig端的电压。
Rp的选择在网上看到一般是10K，高达470K的也见过。
在希望降低待机功耗的情况下，Rg和Rp应该怎么选择？
2, Rg能否取消？
3，在PWM控制的场合，Rp的选择和不需要频繁开关的场合有何不同？
希望大家指个方向，谢谢！
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