如何区分开关管与放大管

只看该作者 · 2019-2-4 12:37

如何区分开关管与放大管

只看该作者 · 2019-2-4 13:11

对于一般的应用来说，开关管也有放大区域，放大管也可以工作在开关区域，这个由三极管的特性曲线决定！国产比如，3DD:放大管，3DK：开关管

只看该作者 · 2019-2-4 17:44

线性，耐压，功耗耐量，饱和压降，
有没有发觉，两种管的分别，跟运放与比较器的分别正好配套！

只看该作者 · 2019-2-4 18:10

跟运放和比较器没法比，跟74和74LS的区别可以比。
74LS系列的芯片，内部三极管在be之间加了一个肖特基二极管，当进入三极管进入深度饱和区Vce小于0.3V的时候把一部分基极电流Ib漏到e极，可以避免进入深饱和区，从而提高了开关速度。

只看该作者 · 2019-2-4 20:14

你瞅啥发表于 2019-2-4 18:10
跟运放和比较器没法比，跟74和74LS的区别可以比。
74LS系列的芯片，内部三极管在be之间加了一个肖特基二极 ...

阁下说的是贝克钳位吗？
肖特基管正向压降跟硅PN结开启门限相当甚至稍低，
並联于集电结则相当于电压並联负反馈，作用正是藉分流而不让管子饱和，开关电源技术也有这用法。

只看该作者 · 2019-2-5 01:18

开关管需要过驱动，发射结的设计需针对储存效应，放大管可不考虑。

只看该作者 · 2019-2-5 01:27

区分方法，小功率的较难判别，大功率的，可从饱和电压的大小或正反向耐压的差距来估摸。

只看该作者 · 2019-2-5 22:59

没有绝对方法。

只看该作者 · 2019-2-6 08:18

SUUY79 发表于 2019-2-4 13:11
对于一般的应用来说，开关管也有放大区域，放大管也可以工作在开关区域，这个由三极管的特性曲线决定！国产 ...

大师，如果在电路图是如何区分呢

只看该作者 · 2019-2-6 08:20

费晸发表于 2019-2-5 01:18
开关管需要过驱动，发射结的设计需针对储存效应，放大管可不考虑。

请问大师发射极要针对储存效应是什么意思

只看该作者 · 2019-2-6 15:13

顺道问一句：ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态？

只看该作者 · 2019-2-6 15:24

chunk 发表于 2019-2-6 15:13
顺道问一句：ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态？

逻辑电路属于脉冲及数字电路，
管子的表现跟开关电路相若，但不是以开关电源技术的方式来驱动的。

只看该作者 · 2019-2-6 15:57

chunk 发表于 2019-2-6 15:13
顺道问一句：ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态？

哈哈，你又难处我了，我还在看书。从图纸还不知道如何分析开关管和放大管的区别

只看该作者 · 2019-2-6 17:41

爱发烧发表于 2019-2-6 08:20
请问大师发射极要针对储存效应是什么意思

ts就是storage time，是深饱和恢复时间，图中画的跟tdelay，trise，tfall差不多大，但实际上ts比其它三个大多了，是影响开关电路速度的决定性因素。

只看该作者 · 2019-2-6 18:08

临界线，放大与饱和两区的接壤处，在速度与管耗间取得平衡。

只看该作者 · 2019-2-6 23:34

本帖最后由 SUUY79 于 2019-2-6 23:36 编辑

特性曲线.bmp (406.82 KB )

下载附件

2019-2-6 23:34 上传

爱发烧发表于 2019-2-6 08:18
大师，如果在电路图是如何区分呢

看图，放大管和开关管的区别：
一般来说，放大管希望放大区域越大越好
而对于开关管，希望放大区域越小越好！

这个回复搞了好长时间，我确实还不知道如何才能上传图片
算了，这么跟你说吧，三极管的本质是利用Ib控制IC,理想情况下IC=β*Ib，这个里面β就是三接管的放大倍数
那么有三种情况：
1、三极管的IB=0,此时IC=0,三极管工作于截止区。该状态可以称为开关管的关断状态0
2、三极管的IB>0,此时IC=β*Ib,三极管工作于放大区。这种状态就是模拟信号中最常见，就是你说的放大管
3、三极管的IB>>0,此时IC≠β*Ib,三极管工作于饱和导通区。这种状态就是数字信号中最常见，这种状态就是开关管的导通状态1

当然，一般中低频应用问题不大，但是对于高频来说，放大管与开关管在构造上还是有很大区别的，这个主要是三极管的结电容对开关速度影响很大，会增加TON和TOFF的时间，不过这些都是数字信号的内容了，暂且不表。