430flash的操作

只看该作者 · 2019-2-20 18:25

大概印象：430的flash好像有点像arm的flash，只不过是arm的flash要比430的大很多，而且430的flash不同于E2PROOM，这一点需要值得注意

MSP430flash的基本特点：

1，拥有内置的编程电压发生器

2：可以进行位，字节，还有字的寻址

3：可以进行段擦除，和整体的擦除

注意：对flash进行操作的时候，flash的操作编程电压必须要大于2.7V，如果小于2.7v的话，将会出现不可预知的错误

还是先来看看430的整体的基本框图：这张框图集合了430flash的所有的操作

标号1，定时器发生器：注意这里的定时器的编程频率必须处于257KHz到476KHz之间，

标号2：编程电压发生器，这里必须产生一个大于2.7v的电压

标号3：三个可以操作的寄存器

标号4：这里就是flash区域，430的flash大小为4KB+256byte

其中4KB是主**区，256byte是信息**区

这里需要注意的是flash的擦除是以段为最小单位进行擦除，在主存储区4KB中，flash是以512个字节为一段，在信息存储区，256byte是以128个字节为一个段

430flash支持比特，字节还有块数据的写入，同时也支持三种擦除方式：1擦除一个段，2，擦除所有的主存储区，3擦除所有flash区域

擦除

方式1：代码是从flash中取出

注意擦除flash的流程图，这里也是看懂这一个流程图就可以了

标号1：步骤一，要关闭所有的中断和看门狗，MSP430的低功耗模式设计，在擦除的时候，cpu被强制的挂起，这时，外部的所有中断不能响应，看门狗如果没有关闭，在擦除过程中会导致程序复位而产生不可预知的结果

标号2：设置flash的控制位和擦除模式

标号3：伪写入一个数据

标号4：重新唤醒cpu

方式2：代码是从RAM中取出的话，cpu可以让他不休眠，这样可以继续执行下面的代码

这是原先把flash中的程序拷贝到RAM中，之后在将pc程序指针指向RAM中的地址，那样就可以擦除flash了，这里也只是需要看懂擦鞋的流程图就可以了

当代码是从RAM中读出的时候，这是cpu就可以不必被强制挂起，这时候需要注意的是，还是要关闭程序的所有中断，并且要判断BUSY这个标志位，因为BUSY==1，表示flash正在进行读写操作，所以，要等BUSY==0的时候才能进行读写操作

这里看一下流程图就可以知道了

1:关闭所有的中断和看门狗

2：之后判断flash的操作状态，当flash没有进行操作的时候，进行如下的操作

3：设置flash的操作，和擦除的模式

4：伪写入

5：之后判断flash的操作状态，当flash没有进行操作的时候，重新开启中断还有看门狗

之后就是对flash的写操作

写操作可以有两种操作方式：1：字节和比特的写入，2：块写入

写操作与擦除的流程图是相似的，也分为从flash中读出指令，和从RAM中取出指令

这个时候的操作和擦除过程神似

还有就是块写入，就是在进行块写入的时候，写入的时间是不能超过累计编程时间的，累计编程时间是4毫秒，这是因为在对flash进行操作的时候，要对flash加一个比较高的电压，如果持续的时间过长，高电压会对flash有损坏，在进行块写入的时候代码必须是从RAM中取出

这是块写入的操作流程