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三极管基极跟集电极供电不同

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楼主
lyzjhzdz|  楼主 | 2019-3-2 15:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
集电极, 三极管, 供电, 单片机, IO控制
三极管基极跟集电极供电不同 如图 三极管S8050通过单片机IO控制PMOS管是否导通，三极管基极由单片机IO控制，单片机供电为3.3V ，而三极管集电极供电是12V 这样俩个不同电源，12V电源会不会串到基极而烧坏单片机呢？

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zyj9490 2019-3-2 15:13 回复TA
画错 

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沙发
Lgz2006| | 2019-3-2 16:34 | 只看该作者
异常情况会有这种忧虑存在，而1K电阻的设置就可以消除你的担忧，心可以放肚里了。

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板凳
云栖营销| | 2019-3-2 17:18 | 只看该作者

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yifeidengdai| | 2019-3-2 18:18 | 只看该作者

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5楼
maychang| | 2019-3-2 19:14 | 只看该作者
P沟MOS管应该左右对调，即源极和漏极对调。

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6楼
lyzjhzdz|  楼主 | 2019-3-2 19:39 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-3-2 19:14
P沟MOS管应该左右对调，即源极和漏极对调。

谢谢老师，画错了 ，是源极跟漏极对调

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7楼
lyzjhzdz|  楼主 | 2019-3-2 19:39 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2019-3-2 16:34
异常情况会有这种忧虑存在，而1K电阻的设置就可以消除你的担忧，心可以放肚里了。 ...

谢谢

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8楼
xch| | 2019-3-2 22:34 | 只看该作者
如果12V 电压不稳定，有可能击穿

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9楼
xch| | 2019-3-2 22:49 | 只看该作者

一般这么设计，防止MOSFET 的VGS过压击穿。限制在10V

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xch 2019-3-4 15:18 回复TA
@zouzichun520 ：防止MOSFET Vgs过压击穿。比使用稳压管保护简单便宜 
zouzichun520 2019-3-4 11:15 回复TA
能告诉我你这电路的优点和缺点吗？ 
10楼
tianxj01| | 2019-3-3 08:49 | 只看该作者
线路画错，DS对调，这里，由于只用做开关，所以NPN管子负载很轻，那基极串联电阻，你用10K都没问题，这样一来，哪怕NPN管子出现问题烧毁，由于10K电阻限流和MUC内部寄生二极管作用，MCUGPIO就可以得到有效保护。所以，完全没有问题。
这样的线路，哪怕在电压再高的地方也有使用，只需要更换合适三极管，同时，集电极串联合适电阻，栅极并联合适稳压管，几百V用这样模式控制都不是问题。

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11楼
gx_huang| | 2019-3-3 10:32 | 只看该作者
几乎不可能串到MCU的，原因：
1、三极管的击穿电压25-40V以上
2、三极管基极有串联电阻，即使三极管基极加12V电压，MCU也很难烧掉的
3、实际上，大部分三极管击穿，只要不是很高电压很大电流，只是CE击穿，BE还是好的，基极电压不会比PN结的压降大的

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12楼
diy1997| | 2019-3-3 12:03 | 只看该作者
你担心的是PNP的问题。

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13楼
hk6108| | 2019-3-3 16:17 | 只看该作者
以小控大，以弱制强，集电结反偏是正常配置。

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14楼
congfenglong| | 2019-3-4 07:59 | 只看该作者
这么多牛人都回复了就不多说了，一半IO烧坏应该还是电流过大引起的，串了大电阻应该是没问题的，但是有的时候也要注意拉电流的能力，IO电路用的时候可以考虑外接上拉

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15楼
6688hyc| | 2019-3-4 08:13 | 只看该作者
看来我还是菜  没第一眼看出来 DS 画反了

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