三极管基极跟集电极供电不同

登录 · 发表于 2019-3-2 15:10

三极管基极跟集电极供电不同如图三极管S8050通过单片机IO控制PMOS管是否导通，三极管基极由单片机IO控制，单片机供电为3.3V ，而三极管集电极供电是12V 这样俩个不同电源，12V电源会不会串到基极而烧坏单片机呢？

发表于 2019-3-2 16:34

异常情况会有这种忧虑存在，而1K电阻的设置就可以消除你的担忧，心可以放肚里了。

发表于 2019-3-2 17:18

发表于 2019-3-2 18:18

发表于 2019-3-2 19:14

P沟MOS管应该左右对调，即源极和漏极对调。

发表于 2019-3-2 19:39

maychang 发表于 2019-3-2 19:14
P沟MOS管应该左右对调，即源极和漏极对调。

谢谢老师，画错了，是源极跟漏极对调

发表于 2019-3-2 19:39

Lgz2006 发表于 2019-3-2 16:34
异常情况会有这种忧虑存在，而1K电阻的设置就可以消除你的担忧，心可以放肚里了。 ...

谢谢

发表于 2019-3-2 22:34

如果12V 电压不稳定，有可能击穿

登录 · 发表于 2019-3-2 22:49

一般这么设计，防止MOSFET 的VGS过压击穿。限制在10V

发表于 2019-3-3 08:49

线路画错，DS对调，这里，由于只用做开关，所以NPN管子负载很轻，那基极串联电阻，你用10K都没问题，这样一来，哪怕NPN管子出现问题烧毁，由于10K电阻限流和MUC内部寄生二极管作用，MCUGPIO就可以得到有效保护。所以，完全没有问题。
这样的线路，哪怕在电压再高的地方也有使用，只需要更换合适三极管，同时，集电极串联合适电阻，栅极并联合适稳压管，几百V用这样模式控制都不是问题。

发表于 2019-3-3 10:32

几乎不可能串到MCU的，原因：
1、三极管的击穿电压25-40V以上
2、三极管基极有串联电阻，即使三极管基极加12V电压，MCU也很难烧掉的
3、实际上，大部分三极管击穿，只要不是很高电压很大电流，只是CE击穿，BE还是好的，基极电压不会比PN结的压降大的

发表于 2019-3-3 12:03

你担心的是PNP的问题。

发表于 2019-3-3 16:17

以小控大，以弱制强，集电结反偏是正常配置。

发表于 2019-3-4 07:59

这么多牛人都回复了就不多说了，一半IO烧坏应该还是电流过大引起的，串了大电阻应该是没问题的，但是有的时候也要注意拉电流的能力，IO电路用的时候可以考虑外接上拉

发表于 2019-3-4 08:13

看来我还是菜没第一眼看出来 DS 画反了

三极管基极跟集电极供电不同

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