stm32的flahs部分擦写寿命问题

发表于 2019-3-8 09:47

想用stm32f0系列的flash代替eeprom。 flash一页最少也有1kB，用不了这么多，如果每次写入，只写入少量字节，比如100Bit，那么该页剩下的flash 空间，是不是寿命不影响，就是说这100Bit写了比如1万次，这一页剩下的空间，依然还有1万次的寿命？

发表于 2019-3-8 10:25

你可以分几个区域，循环写啊

发表于 2019-3-8 10:31

想得美。想要写，就要先擦除扇区。

发表于 2019-3-9 11:58

KV平衡读写可以延长寿命，扇区擦除一次，但是每次写不同的区域。这个要自己写，或者用AliOS Things。AliOS Things已经对STM主流型号做了适配，内置KV平衡读写。AliOS Things的问题是版本迭代速度太快，文档太少。

发表于 2019-3-9 14:24

mohanwei 发表于 2019-3-8 10:31
想得美。想要写，就要先擦除扇区。

写在空白处应该可以吧，写满之后再将这个页面擦除重写。

发表于 2019-3-9 14:39

hu9jj 发表于 2019-3-9 14:24
写在空白处应该可以吧，写满之后再将这个页面擦除重写。

可以。那样程序会稍复杂点。

发表于 2019-4-1 11:13

不用那么纠结吧反正够用

发表于 2019-5-21 20:01

simonliu009 发表于 2019-3-9 11:58
KV平衡读写可以延长寿命，扇区擦除一次，但是每次写不同的区域。这个要自己写，或者用AliOS Things。AliOS ...

AliOS Things的STM32支持能给个链接吗？没有找到。

发表于 2019-5-26 10:58

本帖最后由 simonliu009 于 2019-5-26 11:09 编辑

whatcall 发表于 2019-5-21 20:01
AliOS Things的STM32支持能给个链接吗？没有找到。

https://github.com/alibaba/AliOS-Things
具体使用方法参考我的教程：
https://blog.csdn.net/toopoo/article/details/88600618

发表于 2019-5-27 15:17

1 flash 的寿命取决于改变0和1的次数，每一位都有接近最大改变次数（寿命）
2 10万/100万应该是指无错误操作次数，但不是说到了10万次就不能用了，只是建议
3 如果擦写操作是 0->1, 那么 1->1 理论上不影响寿命，同样，理论上写入时 1->1也不会改变寿命

发表于 2019-5-27 16:33

可以规划一下用法，会增加很多次数

发表于 2019-5-30 12:04

simonliu009 发表于 2019-5-26 10:58
https://github.com/alibaba/AliOS-Things
具体使用方法参考我的教程：
https://blog.csdn.net/toopoo/art ...

谢谢，但是这个不是我想问的。
查了一下，NVS的这次会主要是ESP8266, ESP32和部分MSP432器件才支持。
您前面说的对于STM32的支持是没有的。

[STM32F0] stm32的flahs部分擦写寿命问题