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IGBT栅射击穿问题

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clz918|  楼主 | 2011-9-5 10:16 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电路如1所示,这个电路我用G60N100时工作正常,但换个小电流的IGBT如FGA20S120M后,上电几分钟栅射极就会击穿,实际应用中CE电流很小,开关频率也不高,会是哪里的问题?

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沙发
zhaohe2001| | 2011-9-5 18:57 | 只看该作者
IGBT一般是需要负压关断的,看图你的没有负压

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板凳
clz918|  楼主 | 2011-9-6 08:12 | 只看该作者
IGBT一般是需要负压关断的,看图你的没有负压
zhaohe2001 发表于 2011-9-5 18:57

如果这样的话,最多IGBT不能彻底关断,发热大,应该不会栅极射极击穿吧

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地板
zhaohe2001| | 2011-9-6 19:21 | 只看该作者
母线上的高压会通过结电容耦合到栅极,这个耦合电压有可能击穿栅极,负压就是为了降低这个击穿的几率

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5
weldking| | 2011-9-7 07:27 | 只看该作者
我认为和负压无关,栅射极击穿时,你的CE极是否也被击穿啊?

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clz918|  楼主 | 2011-9-7 09:37 | 只看该作者
我认为和负压无关,栅射极击穿时,你的CE极是否也被击穿啊?
weldking 发表于 2011-9-7 07:27

CE没被击穿,我最纳闷的是为什么有的IGBT没事,有的不行.

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