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IGBT栅射击穿问题

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 楼主| clz918 发表于 2011-9-5 10:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
IGBT, 电流, 电路, 开关, 小电流
电路如1所示,这个电路我用G60N100时工作正常,但换个小电流的IGBT如FGA20S120M后,上电几分钟栅射极就会击穿,实际应用中CE电流很小,开关频率也不高,会是哪里的问题?

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zhaohe2001 发表于 2011-9-5 18:57 | 显示全部楼层
IGBT一般是需要负压关断的，看图你的没有负压
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 楼主| clz918 发表于 2011-9-6 08:12 | 显示全部楼层
IGBT一般是需要负压关断的，看图你的没有负压
zhaohe2001 发表于 2011-9-5 18:57

如果这样的话,最多IGBT不能彻底关断,发热大,应该不会栅极射极击穿吧
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zhaohe2001 发表于 2011-9-6 19:21 | 显示全部楼层
母线上的高压会通过结电容耦合到栅极，这个耦合电压有可能击穿栅极，负压就是为了降低这个击穿的几率
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weldking 发表于 2011-9-7 07:27 | 显示全部楼层
我认为和负压无关，栅射极击穿时，你的CE极是否也被击穿啊？
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 楼主| clz918 发表于 2011-9-7 09:37 | 显示全部楼层
我认为和负压无关，栅射极击穿时，你的CE极是否也被击穿啊？
weldking 发表于 2011-9-7 07:27

CE没被击穿,我最纳闷的是为什么有的IGBT没事,有的不行.
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