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N沟道增强型MOS管耗尽层的疑惑？

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楼主
izefei|  楼主 | 2011-9-5 20:52 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, MOS管, os, 电压, 电子
GS加上正向电压的时候，为什么一开始的时候只排斥空穴，而不吸收自由电子，形成耗尽层。而是等到GS电压达到一定程度后，才开始吸收自由电子?

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izefei|  楼主 | 2011-9-6 20:38 | 只看该作者
木有人？？？

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ssy250| | 2011-9-8 09:04 | 只看该作者
自己看书，不是不吸收电子，而是还不能呢过达到那么大的电压，还没有到两个沟道

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地板
izefei|  楼主 | 2011-9-8 09:41 | 只看该作者
大侠，我就是看了书之后不明白才发帖问的。我认为排斥空穴和吸收电子应该是等价的，既然能把空穴排斥出去，就应该能把自由电子吸收进来。所以我个人感觉不应该有耗尽层（当然这种看法肯定是错误）。
3# ssy250

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