关于《晶体管电路设计》中的疑问？

登录 · 发表于 2011-9-14 07:44

最近在看《晶体管电路设计》上册，但是刚看一会儿就发现有看不明白的地方~见下图：（红色标示）

登录 · 发表于 2011-9-14 07:49

我自己也有一种理解方式，不知是否正确，由于之前有一参数表：

所以我认为是：0.6V+（125℃+55℃）*0.25mV/℃=1.05V > 1V

还望大侠讲解分析

发表于 2011-9-14 08:27

0.6V+（125℃+55℃）*0.25mV/℃=1.05V > 1V

楼主再好好计算下！

发表于 2011-9-14 08:41

0.25mV是笔误，就不必深究了。
不过这个理解是有点牵强。要求大于1V才有好的效果是相对而言的，是说2.5mV相对于1000mV太小了，
所以Ie是稳定的，原则上不是大于1V而是越大越好。

发表于 2011-9-14 10:17

个人认为，书上讲1V的原因是对于2.5mV/℃的温度特性来说，留下0.4V的余量基本可以不考虑温度对工作点的影响了，楼上的观点讲的也是这么一个意思。

发表于 2011-9-14 12:40

3# yhf311
呵呵~
粗略的口算失误:lol

让大家见笑了~

发表于 2011-9-14 14:12

对于“必须”这个词我也有疑问，模电是应用学科，很少出现这种很绝对的词汇
不知道是翻译的不准确还是另有如此绝对口气的道理

铃木雅臣邮箱或电话多少？可以问问他，或者看看日文版是怎么描述的

发表于 2011-9-14 14:42

我的理解是，Re的直流压降必须在1V以上，是为了可以通过Re对三极管进行温度补偿，达到稳定输出的目的。还有就是Vbe电压温漂后的范围为（（125-25）*（-0.25）+600）mV—（（-55-25）*（-0.25）+600）mV，即575mV—620mV

发表于 2011-9-14 15:06

7# ghost1325 找不到铃木雅臣。。。
不懂日文~
呵呵
只能找懂中文又懂模电的来解释了~

发表于 2011-9-14 16:08

只能理解到定性！
呵呵。。定量！
拜起！

发表于 2011-9-14 20:33

感觉那个最后一句“Vbe的变化导致Ve变化，引起集电极电流变化” 的说法有错。

应该是Vbe的变化导致Ibe的变化，引起集电极电流变化，导致Ve变化。

好像语句循序有错。
不知我这样理解是否有问题？

发表于 2011-9-14 20:35

我还是不明白：为吸收基极—发射级电压Vbe随温度的变化，而是工作点（集电极电流）稳定，Re上的电压要1V以上呢？
书上说的我还是不明白！
谁给仔细讲解一下呢？

发表于 2011-9-14 21:13

看了这个帖子
https://bbs.21ic.com/icview-230471-1-1.html
的结论是经验~~？？

发表于 2011-9-15 08:04

难道真的是经验吗？
求解释~

发表于 2011-9-15 20:24

石沉大海~:'(

发表于 2011-9-15 21:11

建议楼主学过负反馈之后，再返回来重新看这一段。
学习的过程，绝对不是每门课每本书只有一次。往往学过新的课程之后，再返回来看学过的课程，又有更深的体会。复习已经学过的课程，往往又能够指导新课程的学习。

你的问题，感觉是没有把一个量和这个量的变化分清楚。

发表于 2011-9-16 08:12

16# maychang
恩~
已经开始继续往下看了，不能在一棵树上**（此处屏蔽2个字）
把这个问题也做上记号了，听老师的，复习的时候再回头揣摩~

现在又发现新的问题了，见：
https://bbs.21ic.com/frame.php?frameon=yes&referer=http%3A//bbs.21ic.com/iclist-2.html