从谐振的角度考虑电阻选择为:
当然这个取值也要满足时间的需求,电阻也有一定的限制
③ 源感抗会阻碍漏源极间电流IDS的变化。当MOSFET开启的时候,初始时电流变化率dI/dt偏大,因此在源感抗上产生了较大压降,从而使得源点电位抬高,使得栅极电压分压在源电感上,使得栅极电容上的电压VGS减小,由于IDS变化较大,这个影响因素会很大程度上使得开关时间变长。
④ 在MOSFET开启状态的时候漏感抗起到了很好的作用,有效的限制了电流变化率,减少了开启的功耗。但是在关断的时候,漏源极间电压VDS形成明显的下冲,显著的增加了关断时候的功耗。
由于以上的一些因素,我们将考虑驱动电路的设计。由于驱动电路的功耗较大,主要分为几部分:栅极电容充电和放电产生的功耗、驱动电路交越穿通电流产生的功耗和静态电流产生的功耗。由于最后一部分相对较小,因此主要考虑前面两部分。
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