关于《晶体管电路设计》中的疑问3 ?

登录 · 发表于 2011-9-16 22:56

我的理解却是相反的，╮(╯▽╰)╭

发表于 2011-9-16 23:15

re LZ：

这里所说的“基极偏置”应该是指整个三极管的静态电位的高低，其中包括Rc和Re的配置而不仅是基极分压电阻。如果基极偏置电压过高（接近电源），则三极管的集电极电阻必然要减小，这样其“反向输出”也就降低了。同理，若基极偏置电压过低（接近地），则三极管的发射极电阻必然要减小，这样其“正向输出“会变小。

发表于 2011-9-16 23:21

工作点：
V正＝V基偏－０.６５
V反＝１５V－V正

发表于 2011-9-16 23:22

所以;
V基偏越高：V正越大，V反越小
反之亦然

发表于 2011-9-17 16:41

原文是对的

发表于 2011-9-17 20:31

2# HWM
A=vo/vi=Rc/Re
反向输出降低，能说的通

但是ve应该是等于vo啊？？

发表于 2011-9-17 20:32

4# ghost1325
你这里所说的只是各部分直流电位啊
和交流电压放大倍数如何联系？

发表于 2011-9-17 20:33

5# YT10L 我没有说要真的说原文错误的意思，只是不理解，望大虾解释一下~

发表于 2011-9-17 21:12

对于此图以及书中说法，是否应该将失真考虑进去？

发表于 2011-9-17 21:21

9楼：
当然需要考虑失真。
实际上，最初的基极偏置电压要求，就是为了得到最大不失真输出。

发表于 2011-9-17 21:26

Vbe<0.8v 否侧，将工作在饱和状态，这是模拟放大电路所不容许的。

发表于 2011-9-17 21:32

原书三极管基极电位设置并不是很合理。
注意这是倒相电路或者称反相电路，要求该电路输出两路幅度相等相位相反的信号。因为三极管集电极电流近似等于发射极电流，所以Rc＝Re，都是5.1k。这样即可保证集电极输出信号和发射极输出信号大小相等，相位相反。发射极电位变化范围最小显然为零(三极管截止时)，最大约等于电源电压之半(三极管饱和时，忽略三极管饱和压降)。那么静态时，显然发射极电位应该大致为电源电压1/4才对。静态时，集电极电阻上压降也应该为电源电压1/4，而三极管两端(集电极与发射极之间)电压应该大约为电源电压的1/2。
该书三极管静态时三极管两端电压大致为电源电压1/3，不是很合理。

发表于 2011-9-17 21:33

10# maychang 也就是说考虑失真的话
VB接近VCC
IC≈IE=(VB-0.6)/RE 增大
VC=VCC-IC*RC 减小

vo底部失真，所以说反向输出的最大电压变小？？？

发表于 2011-9-17 21:35

铃木雅臣这本书，作为初学者入门读物还可以，讲得比较通俗易懂，进一步深造就不大合适。

发表于 2011-9-17 21:39

呵呵~
看来我还没有入门，看的都不会很懂~
下次的买本童诗白老师的模电看看~

发表于 2011-9-17 21:40

主要是觉得它比较薄~

发表于 2011-9-17 21:43

13楼：
静态时三极管基极电位过高，那么发射极输出在幅度达到一定程度时将切顶，而集电极输出将切底。
静态时三极管基极电位过低，那么发射极输出在幅度达到一定程度时将切底，而集电极输出将切顶。
三极管基极电位是不可能接近电源电压的。静态时基极电位达到电源电压之半再高一点点(0.65V～0.7V)，三极管就已经饱和。

发表于 2011-9-17 21:49

本帖最后由 499734424 于 2011-9-17 21:52 编辑

17# maychang
那应该这样说：当基极电位接近GND和VCC（实际不能太接近VCC,防止饱和）时，由于失真作用，反向输出的最大电压以及正向输出的最大电压都会变小。

哎，也不知道，作者只说一半的用意如何？

（编辑原因：修正错别字）

发表于 2011-9-17 22:03

18楼：
确实如此。
估计是翻译得不够准确。

此电路最好仿真一下，改变91k和56k这两支电阻的数值，输入信号从小到大逐渐增加，立刻就可以很直观地看出切顶和切底失真。还可以看看我说的基极电位为电源电压1/4稍强处输出最大(同时切底和切顶)是否正确。更可以看看两路输出是否幅度相等，相位相反。

发表于 2011-9-17 22:09

恩~
仿真，好方法~

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