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我说呢，楼主还那么**。

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 楼主| lzw120051 发表于 2008-9-21 19:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
电路, 电压, 电器, 继电器, ce
<br />为什么继电器通后，Vce电压不一样
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hotyong 发表于 2008-9-21 20:19 | 显示全部楼层

re

真服了,这两个电路中,当继电器导通时,VCE原理上看就是不一样的,可以看得出左边的VCE更大,<br />不过仿真了一下,确实没有这么大的差别.<br />觉得你太较真了,这个电路应该算是数字部的,应该只要关心导通与不导通就够了.也可能是这两个三极管有些差别
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 楼主| lzw120051 发表于 2008-9-21 20:34 | 显示全部楼层

请问楼上的

为什么左边的那个明显会大<br />电压如何算出来<br />两个电路工作起来差不多<br />主要考虑三极上的功耗<br />两种线路如果流过电流大的会，手摸上去会比较明显，热。<br />两个图，原器件用的完全一样<br /><br />
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m5t133 发表于 2008-9-21 22:05 | 显示全部楼层

中三极管的状态有关

右边电路压降0.1V不太可能吧,如果成立三极管都没法通,哪可能有压降?<br />先电路感觉左边要好一点,状态下功耗会低一些.光耦开关关闭状态看成一个电阻就比较容易理解了
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bg6nw 发表于 2008-9-21 22:06 | 显示全部楼层

图一的本质是射极跟随器

有电压串联负反馈，管子不会饱和的。
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ghostami 发表于 2008-9-21 23:31 | 显示全部楼层

应该不一样

图一是发射极输出<br />图二是集电极输出<br />的确不一样
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高勇 发表于 2008-9-22 09:18 | 显示全部楼层

真佩服楼主。

这是最基本的三极管应用常识。
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 楼主| lzw120051 发表于 2008-9-22 09:37 | 显示全部楼层

我们行内用的基本上是后一种

我忘了是哪个常识<br />只知道三极管进入饱和状态，VCE相当于导通，电压0.3V；<br />但问题是两个电路都进入了饱和状态了，为什么电压会相差0.5V<br />右边电路VCE电压绝对小于0.1V
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xwj 发表于 2008-9-22 09:47 | 显示全部楼层

我觉得应该是一样的，除非LZ测试的实物不是这样接。

  
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HWM 发表于 2008-9-22 09:50 | 显示全部楼层

两个玩意儿几乎等价

  
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sxggj 发表于 2008-9-22 10:56 | 显示全部楼层

图主楼可能扒错了

第二个图中光耦输出的上半部分接VCC，更容易出你上面的结果
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 楼主| lzw120051 发表于 2008-9-22 11:16 | 显示全部楼层

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11楼：如果照你的方法接，我想结果不是烧三极管，就是光藕。<br />9、10楼：两个线路的确有区别，不信大家可以仿真下。
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int3 发表于 2008-9-22 11:40 | 显示全部楼层

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左边继电器线圈做直流负反馈，
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jpl1007 发表于 2008-9-22 11:40 | 显示全部楼层

你们也太搞笑了.

9楼是对的,两个电路压降是一样的.pc817与9013是接成达林顿复合管,当pc817导通时,那怕压降为0,也只不过是将9013的b极接c极,那9013最低也有0.6v的压降,两个电路并不存在E或C输出的问题.
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diablo7752 发表于 2008-9-22 12:03 | 显示全部楼层

。。。

我想问<br /><br /><br />为什么&nbsp;没有限流电阻
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 楼主| lzw120051 发表于 2008-9-22 12:19 | 显示全部楼层

大家不信可以动动手吗

理论上讲是一样的（我的理论基础不是很好）<br />但问题的答案是建立在事实上的，<br />哪怕后一种图，把光藕去掉，高电平推动9013<br />VCE两端电压也是0.1V以下<br />不可能出现什么0.6V!!<br />我用的是12V继电器，限流电阻没必要。
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gx_huang 发表于 2008-9-22 12:38 | 显示全部楼层

二个电路一模一样

只是串联得二组器件得前后问题，不影响电压。<br />如果实测不一样，可以肯定的说是焊接错了。
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chunyang 发表于 2008-9-22 13:02 | 显示全部楼层

楼主的实际实验电路应该和给出的图不同

&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;问题的关键在于右图晶体管集电极和光敏管集电极的短路线。<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;首先说，这是一个非常简单的最基础的问题。<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;三极管是电流型器件，饱和导通条件是Ib大于一定数值，这时Vb恒定比Ve高出一个PN结的导通压降，对于硅管，这个数值是0.7V左右，0.6V考虑到测量误差和晶体管工艺参数分布也是合理的，左图的测量结果正常。至于右图，如果测量结果如楼主所言且实际电路如图，那么Ib根本不可能出现，原因是Vc&lt饱和导通所需Vb＋光敏管Vce，如此，何来满足晶体管导通所需的Vb？所以推测楼主实际电路不是如右图所示，真如右图的话，左右等效。如果改一下电路，Vb不是取自Vc而是取自Vcc，那么测量结果就很正常了。<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;正确的设计应是右图的Vb回路改进，这时在一定功率以上晶体管的发热低于左图，同时，不论哪种电路结构，晶体管基极回路中必须串入限流电阻。
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 楼主| lzw120051 发表于 2008-9-22 13:42 | 显示全部楼层

楼上的把我的图错在哪都看出来了

佩服，由于平时不喜欢画原理图，设计PCB时，<br />那样简单就那样画，现在乱了。<br />但右边的那个图也能正常工作，这是实践过的。<br />右边真正的图如下：
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chunyang 发表于 2008-9-22 13:58 | 显示全部楼层

这个电路才是正确的，才能得出楼主的测试结果

  
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