我说呢，楼主还那么**。

只看该作者 · 2008-9-21 19:54

为什么继电器通后，Vce电压不一样

只看该作者 · 2008-9-21 20:19

真服了,这两个电路中,当继电器导通时,VCE原理上看就是不一样的,可以看得出左边的VCE更大,
不过仿真了一下,确实没有这么大的差别.
觉得你太较真了,这个电路应该算是数字部的,应该只要关心导通与不导通就够了.也可能是这两个三极管有些差别

只看该作者 · 2008-9-21 20:34

为什么左边的那个明显会大
电压如何算出来
两个电路工作起来差不多
主要考虑三极上的功耗
两种线路如果流过电流大的会，手摸上去会比较明显，热。
两个图，原器件用的完全一样

只看该作者 · 2008-9-21 22:05

右边电路压降0.1V不太可能吧,如果成立三极管都没法通,哪可能有压降?
先电路感觉左边要好一点,状态下功耗会低一些.光耦开关关闭状态看成一个电阻就比较容易理解了

只看该作者 · 2008-9-21 22:06

有电压串联负反馈，管子不会饱和的。

只看该作者 · 2008-9-21 23:31

图一是发射极输出
图二是集电极输出
的确不一样

只看该作者 · 2008-9-22 09:18

这是最基本的三极管应用常识。

只看该作者 · 2008-9-22 09:37

我忘了是哪个常识
只知道三极管进入饱和状态，VCE相当于导通，电压0.3V；
但问题是两个电路都进入了饱和状态了，为什么电压会相差0.5V
右边电路VCE电压绝对小于0.1V

2万 · 2008-9-22 09:47

2万 · 2008-9-22 09:50

只看该作者 · 2008-9-22 10:56

第二个图中光耦输出的上半部分接VCC，更容易出你上面的结果

只看该作者 · 2008-9-22 11:16

11楼：如果照你的方法接，我想结果不是烧三极管，就是光藕。
9、10楼：两个线路的确有区别，不信大家可以仿真下。

只看该作者 · 2008-9-22 11:40

左边继电器线圈做直流负反馈，

只看该作者 · 2008-9-22 11:40

9楼是对的,两个电路压降是一样的.pc817与9013是接成达林顿复合管,当pc817导通时,那怕压降为0,也只不过是将9013的b极接c极,那9013最低也有0.6v的压降,两个电路并不存在E或C输出的问题.

只看该作者 · 2008-9-22 12:03

我想问

为什么没有限流电阻

只看该作者 · 2008-9-22 12:19

理论上讲是一样的（我的理论基础不是很好）
但问题的答案是建立在事实上的，
哪怕后一种图，把光藕去掉，高电平推动9013
VCE两端电压也是0.1V以下
不可能出现什么0.6V!!
我用的是12V继电器，限流电阻没必要。

2万 · 2008-9-22 12:38

只是串联得二组器件得前后问题，不影响电压。
如果实测不一样，可以肯定的说是焊接错了。

4万 · 2008-9-22 13:02

    问题的关键在于右图晶体管集电极和光敏管集电极的短路线。
    首先说，这是一个非常简单的最基础的问题。
    三极管是电流型器件，饱和导通条件是Ib大于一定数值，这时Vb恒定比Ve高出一个PN结的导通压降，对于硅管，这个数值是0.7V左右，0.6V考虑到测量误差和晶体管工艺参数分布也是合理的，左图的测量结果正常。至于右图，如果测量结果如楼主所言且实际电路如图，那么Ib根本不可能出现，原因是Vc<饱和导通所需Vb＋光敏管Vce，如此，何来满足晶体管导通所需的Vb？所以推测楼主实际电路不是如右图所示，真如右图的话，左右等效。如果改一下电路，Vb不是取自Vc而是取自Vcc，那么测量结果就很正常了。
    正确的设计应是右图的Vb回路改进，这时在一定功率以上晶体管的发热低于左图，同时，不论哪种电路结构，晶体管基极回路中必须串入限流电阻。

只看该作者 · 2008-9-22 13:42

佩服，由于平时不喜欢画原理图，设计PCB时，
那样简单就那样画，现在乱了。
但右边的那个图也能正常工作，这是实践过的。
右边真正的图如下：

4万 · 2008-9-22 13:58

我说呢，楼主还那么**。

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re

请问楼上的

中三极管的状态有关

图一的本质是射极跟随器

应该不一样

真佩服楼主。

我们行内用的基本上是后一种

我觉得应该是一样的，除非LZ测试的实物不是这样接。

两个玩意儿几乎等价

图主楼可能扒错了

答复

答复

你们也太搞笑了.

。。。

大家不信可以动动手吗

二个电路一模一样

楼主的实际实验电路应该和给出的图不同

楼上的把我的图错在哪都看出来了

这个电路才是正确的，才能得出楼主的测试结果

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