垂直整合应对挑战
目前行业从Si逐渐过渡到SiC的趋势已经很明显，但供应链方面一直面临的着压力，例如由于供应商数量有限而导致全球SiC晶圆短缺。ST一直在执行着控制整个供应链的战略，包括最近与Cree达成的2.5亿美元协议（参考：Cree与ST签订多年SiC晶圆供应协议的背后……），以确保Wolfspeed 150毫米SiC裸晶和外延晶圆；收购瑞典SiC晶圆供应商Norstel 55％的股份（参考：ST收购Norstel，晶圆是SiC供应链的关键），其实目的是最终收购其余的股份。
ST上周在卡塔尼亚的会议中还说，他们相信未来30年内50％的功率半导体市场将基于SiC。虽然他们目前外包锭和基板（在卡塔尼亚进行外延和晶圆加工），但显然ST正在一步步努力更多地控制供应链并将其内化。
尽管ST已计划将Norstel进一步整合到自己的供应链中，但目前还未准备好披露它们，可能在5月份会透露更多信息。他们还强调说与Cree的联盟非常重要，其目标是加强垂直整合。目前ST使用的是6英寸晶圆，但他们打算到2025年之前使用通过Norstel和本地研发来推动8英寸切片。
2018全年ST的SiC业务收入为1亿美元，2019年的目标为2亿美元，到2025年计划达到10亿美元。这意味着ST需要真正掌控供应链，以满足需求并实现这一雄心壮志。
ST短期内需要解决两个关键挑战：一个是供应链，另一个是成本。原材料和设备供应商需要跟上整个生态体量的增长。ST表示，SiC是可以证明电动车是节能产品的关键解决方案，因此唯一高效的方法就是使用SiC MOSFET。至于成本方面，ST将努力通过缩小器件、增加晶圆尺寸、降低材料成本、优化模块设计的方式来降低成本。
SiC MOSFET其实是降本的首选
ST在卡塔尼亚生产裸芯片并进行模块封装。ST发表了SiC MOSFET的发展路线图，其中沟槽技术的发展与计划于2020年推出的第三代平面技术并行推进。
与Si相比，SiC带来了更多生产上的挑战，这也是成本增加的主要原因之一，而这又进一步成为了行业广泛采用SiC产品的障碍。SiC具有更高的固有材料缺陷，从衬底制造开始就需要更复杂的制造流程以确保质量和可靠性。
因此，SiC器件的成本会更高，但ST强调最终的成本节约。例如，在电动车中，SiC器件可能会额外增加300美元的前期成本。但总体而言，SiC部分增加的成本可以由电池及冷却成本降低而抵消。据ST说，最终可节省高达2,000美元。
卡塔尼亚的ST工厂不仅专注于SiC，GaN也是ST的产品组合的一部分。
自1996年以来，ST一直致力于SiC的生产。于2004年生产出了首款SiC二极管，2009年又生产出首款SiC MOSFET。这些产品可分别用于1,200V/650V版本。与其它几家公司一样，ST现在正在生产车规级SiC功率器件，这是汽车电气化的关键推动因素。ST的6英寸SiC晶圆生产始于2017年，随着生产能力的增加，还逐渐涉及太阳能逆变器、工业电机驱动器、家用电器和电源适配器等中的SiC应用。
SiC与GaN迎来发展
目前任何主要的功率半导体供应商都非常关注电动车这一领域，并且近期纷纷推出了车规级SiC产品。
Rohm更是非常强势地推出了一整套新产品，还展示出了垂直整合的能力。这些行业竞争对手的活动估计也给了ST一定压力。
就从技术规范角度能够满足需求的技术而言，SiC和GaN上的宽带隙器件在更高的电压和功率效率方面提供了显著优于Si的表现。它们可以使工作温度更高、散热得到改善、开关和传导损耗更低、更好的导电性。同样，这些优势必须与大规模生产的更大难度和成本相平衡。
在汽车领域，电机逆变器就是受益于SiC的关键功能的一个例子。逆变器将存储在电池组中的能量转换来驱动电机，因此能量转换（这也是SiC命题的一部分）中的损耗越低，系统的效率就越高。SiC器件增强的导电性和更快的开关频率降低了功率损耗，这意味着更少的能量损失。最终，SiC更高的效率可以使电动车在总续航上受益。
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