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5ns脉冲驱动高速MOS管

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bewind|  楼主 | 2011-9-20 22:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
bewind|  楼主 | 2011-9-20 22:13 | 只看该作者
MOS管的脉冲电流性能越好越好,接近5ns方波最好,做过高速驱动的围观一下~

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板凳
dontium| | 2011-9-20 22:41 | 只看该作者
“5ns脉冲”,很窄了。作为MOS管,它没有存储效应,一般不给交流参数。但最麻烦的是它的两个电容:G极电容和密勒电容。

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地板
bewind|  楼主 | 2011-9-27 16:23 | 只看该作者
为什么没人回答呢,高手来顶一下哈!!

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bewind|  楼主 | 2011-9-27 16:26 | 只看该作者
做MOS的驱动,主导开关速度的参数要考虑哪些呢?

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yuyi21ic| | 2011-9-27 19:11 | 只看该作者
5ns?估计玄乎。你看看BSP295是否能满足你的要求。另外,你场效应管的驱动选型也麻烦。

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bewind|  楼主 | 2011-9-28 10:34 | 只看该作者
BSP295的输入电容偏大,上升时间有20ns,功耗也有点偏大哈

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bewind|  楼主 | 2011-9-28 10:36 | 只看该作者
坐等高手来分析,高速MOS管选型

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niwota0412| | 2011-9-28 10:41 | 只看该作者
方便交流下,我也遇到了相同的问题,不过我研究这个已经好长时间了,高速MOS管我倒是找了不少。QQ410982728

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bewind|  楼主 | 2011-9-28 11:31 | 只看该作者
呵呵,9楼是同行业中人,还有么

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meteor_lcj| | 2011-9-29 21:10 | 只看该作者
:shutup:

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bewind|  楼主 | 2011-9-29 22:30 | 只看该作者
我注意到了,11楼是酱油哥~~晕~~

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zjj988| | 2011-9-29 22:59 | 只看该作者
9l楼是只发图标不打字的,哈哈

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zjj988| | 2011-9-29 22:59 | 只看该作者
打错了,是11楼

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pengjianxue| | 2011-9-30 14:32 | 只看该作者
很难,可用3个NSF2250WT1射频NPN三极管(2GHZ),1个P沟道BSS84LT1试试,15V供电。

FPGA驱动2个三极管,2个三极管构成推拉驱动MOS,BSS84开通延迟2.5nS,关断延迟16ns.

这两种管,力源有现货。
如能找到射频PNP,可用2N7002ET1G,开通延迟1.7nS,关断延迟4.8ns,力源有现货。

三极管基极与集电极间用M1MA141WAT1G二极管并联(3nS),防三极管饱和。

彭建学  上海

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pengjianxue| | 2011-9-30 15:09 | 只看该作者
PCB布线,元件参数很重要,
估计10ns问题不大。

彭建学   上海

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yuyi21ic| | 2011-9-30 16:51 | 只看该作者
我倒是想找一块类似的高速PWM驱动芯片,并且带浮栅驱动输出的。

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bewind|  楼主 | 2011-10-1 22:48 | 只看该作者
很难,可用3个NSF2250WT1射频NPN三极管(2GHZ),1个P沟道BSS84LT1试试,15V供电。

FPGA驱动2个三极管,2个三极管构成推拉驱动MOS,BSS84开通延迟2.5nS,关断延迟16ns.

这两种管,力源有现货。
如能找到射频PNP, ...
pengjianxue 发表于 2011-9-30 14:32


其实在小电流情况下可直接选用射频三极管作脉冲开关,而不必要用MOS管,这种效果如何,你能评估下不?

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bewind|  楼主 | 2011-10-1 22:52 | 只看该作者
PCB布线,元件参数很重要,
估计10ns问题不大。

彭建学   上海
pengjianxue 发表于 2011-9-30 15:09


对于窄脉冲驱动,寄生电容的存在必然会导致MOS管上升和下降沿出现尖峰脉冲,这个咳没有什么好的办法,有人对此是否有过深入研究呢?

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