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[STM32F4]

求助STM32F407VGT6写内部FLASH问题

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楼主
liweidxh|  楼主 | 2019-4-4 10:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
stm32f407vgt6, flash, App, os, TE
有个产品要远程升级功能，现在程序远程下发成功，校验也成功。
程序大致是将存储在外部RAM里面的程序，按照512byte一包，写入内部flash。
现在问题来了，我每写一包，然后再从flash里面读这包数据，都是正常，但是我再写下一包的时候，会把上一包数据擦除，最后用jflash查看内部flash时候，只剩下最后一包写入的数据，导致升级失败。
bootloader和app里面都使用了ucosiii。
不知道是什么原因，求助各位。

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liweidxh 2019-4-4 10:18 回复TA
void BSP_FLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *WriteBuf,uint32_t WriteNum) { FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; uint32_t addrx=0; uint32_t endaddr=0; if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4) return; //非法地址 FLASH_Unlock(); FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存 addrx=WriteAddr; //写入的起始地址 endaddr=WriteAddr+WriteNum*4; //写入的结束地址 if(addrx<0X1FFF0000){ //只有主存储区,才需要执行擦除操作!! whil  
沙发
yklstudent| | 2019-4-4 10:58 | 只看该作者
这个需要整体先擦除，然后再接收一包写入一包

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liweidxh 2019-4-4 11:06 回复TA
前面有个升级前准备，已经擦除过了 
板凳
huzi2099| | 2019-4-4 11:22 | 只看该作者
你查一下手册,flash里不同地址段的擦除扇区是不一样的,前面块小后面块大,好像是128K字节一次一擦.

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huzi2099 2019-4-4 12:19 回复TA
@liweidxh ：有关系,扇区大小不一样 
liweidxh 2019-4-4 11:33 回复TA
擦除是按扇区擦的，和大小没关系吧 
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