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[电路/定理]

保护电路的分析

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shaorc|  楼主 | 2019-4-4 15:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
【不懂就问】
一款输出短路保护的电路分析
首先Vcc上电,C2 C3被充电,Q2Q3由于电容隔离直流没有基极信号,于是Q2Q3都导通
然后由于OUT输出有了,于是Q2的基极电位被抬高,Q2截止,Q3继续导通?
当OUT输出短路时,Q2导通了,然后Q3被截止?
这样理解吗?


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沙发
戈卫东| | 2019-4-4 16:52 | 只看该作者
这两个三极管构成一个“**”单元。
上电时,C3充电快很多,Q3先导通,Q2将不会导通。(ON状态)
过载到达一定时长,C2充电使Q2导通,Q3关断,**单元状态转换。(OFF状态)

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shaorc|  楼主 | 2019-4-6 19:24 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2019-4-4 16:52
这两个三极管构成一个“**”单元。
上电时,C3充电快很多,Q3先导通,Q2将不会导通。(ON状态)
过载到达 ...

谢谢 明白了 电路双稳态的内容

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shaorc|  楼主 | 2019-4-8 09:22 | 只看该作者
king5555 发表于 2019-4-7 10:27
由于有RC时间的空窗期,因此不是良好的短路保护或跳脫,仍然有可能损坏Q3。负载短路有两种:上电前已经短 ...

谢谢你的提醒

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5
lin5674675| | 2019-4-21 15:29 | 只看该作者
学习了

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6
xiaxingxing| | 2019-5-3 22:18 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2019-4-4 16:52
这两个三极管构成一个“**”单元。
上电时,C3充电快很多,Q3先导通,Q2将不会导通。(ON状态)
过载到达 ...

上电瞬间,C2,C3正端负端的电势都为VCC,然后是电容下端电荷泄放过程,不是C2更快吗?(因为(R4+R5)*C2时间常数小于R3*C3时间常数,所以C2负极放电更快。也就是说Q2的基极电压下降的更快,即Q2的Vbe先到达-0.7V,所以Q2先导通,随后Q3才导通。

掉电瞬间,C2,C3负端的电势都为-VCC(C2,C3正极都为0电势),然后是C2下端电荷先泄放完,即C2负极比C3负极先到达0电势。所以Q3后关闭。
比较混乱,是这样理解吗?请大神指导,谢谢!!!

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戈卫东| | 2019-5-3 22:32 | 只看该作者
xiaxingxing 发表于 2019-5-3 22:18
上电瞬间,C2,C3正端负端的电势都为VCC,然后是电容下端电荷泄放过程,不是C2更快吗?(因为(R4+R5)*C2 ...

再算算?

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shaorc|  楼主 | 2019-5-13 14:35 | 只看该作者

如图1,一个PMOS管参与的过压保护电路
采用稳压管VT1为5.1V稳压,这样可以将电路的过压保护点设置在5.8V
但是自己有如下问题
【1】如果将图1的PMOS管反接,即DS极反接,成为如图2所示。
那么在电压上电时,Vin岂不是可以通过PMOS的体二极管直接导通到Vo?就达不到过压保护的作用了?
【2】图1的电路是不是即是过压保护电路,也起到防止电源Vin反接的作用?
【3】在图1中,若输入电压在0-5.1V之间时,PNP是不导通的,那么从Vin经过A点到PNP发射极的电压,一直等于从Vin经过R1、R2送至PNP基极的电压吗?
【4】电阻R1的作用是稳压管VT1的限流电阻,电阻R2是为PNP门极限制电压所用,电阻R4是PMOS管栅极所必须的串联电阻,为栅极限制电压,R4有没有和GS间电容组成LC滤波电路的作用?同时R3的作用是什么呢?
  图1

  图2

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hensonman| | 2019-5-13 19:32 | 只看该作者
shaorc 发表于 2019-5-13 14:35
如图1,一个PMOS管参与的过压保护电路
采用稳压管VT1为5.1V稳压,这样可以将电路的过压保护点设置在5.8V
...

【1】是的,PMOS管不能反接,这样没有意义
【2】这个电路没有防反接的作用
【3】输入低于5.1V,VT1和PNP都没导通,按照理论,这几点量出来的电压一样(设计者的目的)
【4】多说几句
首先R1,不能简单理解为限流电阻。你想想,VT1稳压二极管要导通起作用稳压在5.1V,那么流过的电流,大概至少要2mA(SOD123封装,封装更大就需要电流更大),如果没有R1电阻的存在,单靠PNP这个管子导通的基极电流,这是很困难,不靠谱的
R1和R3,都有分担稳压二极管的导通电流的意图。有R1的存在,R3其实没什么必要留着。
其次,在实际使用中,不要简单把VT1当成一个开关,低于5.1V就不导通,它是有IV曲线的。如果R1的值取的太大,你会发现即使不到5.8V,可能也会触发过压保护。
R4没有什么滤波电路的考虑;
R2是为了保护PNP和VT1,当VIN太高时,高于5.8V的时候限流保护。

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shaorc|  楼主 | 2019-5-14 09:09 | 只看该作者
hensonman 发表于 2019-5-13 19:32
【1】是的,PMOS管不能反接,这样没有意义
【2】这个电路没有防反接的作用
【3】输入低于5.1V,VT1和PNP ...

谢谢,追问一下
【1】你的意思是,在输入Vin为达到5.1V时,PNP不导通,是说A和B点的电位相等吗?
但是B点是经过电阻R1后才到B点,B点电位不应该比A点电位低一些吗?

【2】电阻R1的取值很重要,我想知道如何计算的。还有我的PMOS管如何选型
如果现在要做5.8V的过压保护的话。谢谢

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11
戈卫东| | 2019-5-14 09:57 | 只看该作者
shaorc 发表于 2019-5-14 09:09
谢谢,追问一下
【1】你的意思是,在输入Vin为达到5.1V时,PNP不导通,是说A和B点的电位相等吗?
但是B点 ...

你需要把需求明确下来,再考虑器件选用。比如,输入电压可能的范围是什么?负载电流有多大?

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12
hensonman| | 2019-5-14 10:45 | 只看该作者
shaorc 发表于 2019-5-14 09:09
谢谢,追问一下
【1】你的意思是,在输入Vin为达到5.1V时,PNP不导通,是说A和B点的电位相等吗?
但是B点 ...

看起来,你好像没有太多实际经验哦
【1】没有错的,但是你要知道,B点电位比A点电位低一些的前提是什么? 有电流流过R1,也就是稳压管是微微导通的,也即是稳压管的电阻不是无穷大。这个时候相当于R1和稳压管的电阻对Vin分压,当Vin越低于5.1V时,稳压管的电阻就越大,B点的电位就越接A点。
【2】楼上说的没错,设计电路先要知道你的明确需求。
当然,第一步,先认识清楚R1和VT1

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shaorc|  楼主 | 2019-5-14 11:58 | 只看该作者
hensonman 发表于 2019-5-14 10:45
看起来,你好像没有太多实际经验哦
【1】没有错的,但是你要知道,B点电位比A点电位低一些的前提是什么? ...

是啊 谢谢指导
对于9楼的图1
输入额定就是5V了,但是要确保过压输入时可以保护,12V输入时要可以保护,即我采用PMOS断开电路
明白保护原理,但是几个电阻的取值不太会
R1的取值是要保证流过稳压管VT1最大电流小于规定值,这个明白如何计算
但是R3和R4的取值如何操作呢?

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hensonman| | 2019-5-14 13:17 | 只看该作者
shaorc 发表于 2019-5-14 11:58
是啊 谢谢指导
对于9楼的图1
输入额定就是5V了,但是要确保过压输入时可以保护,12V输入时要可以保护,即 ...

【1】第一步,看R1和VT1,你要保证输入Vin在5.8V以及以上的时候,稳压二极管VT1是稳压工作的,那么去找VT1的规格书,看看要稳住5.1V左右需要至少多少电流,然后来算R1应该取值多大。
【2】第二步,去掉R3。
设计合适的PNP集电极电流,你这个设计需求,这里可选的余地很大。例如R4取值560K,那么保护电路起作用时,R4流过的电流大概0.01mA,由此大概推算PNP的基级电流,低一个数量级1uA应该足够。
反过来看R2,当输入电源Vin大于5.8V时,R2两端的电压= Vin - PNP导通电压0.6V-稳压二极管5.1V,以Vin=5.8V为例,此时R2两端电压0.1V,前面我们估计至少1uA的基级电流,那么R2取值就要小于100K。
好了,说了这么多,基本思路可以这样。这电路用起来要求不高,真的要用,大概会把R2取值在几K,R4取值在几百K,R3就不要了,R1几百欧

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shaorc|  楼主 | 2019-5-14 13:39 | 只看该作者
hensonman 发表于 2019-5-14 13:17
【1】第一步,看R1和VT1,你要保证输入Vin在5.8V以及以上的时候,稳压二极管VT1是稳压工作的,那么去找VT ...

非常感谢 现在好好琢磨琢磨

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shaorc|  楼主 | 2019-5-14 13:59 | 只看该作者
hensonman 发表于 2019-5-14 13:17
【1】第一步,看R1和VT1,你要保证输入Vin在5.8V以及以上的时候,稳压二极管VT1是稳压工作的,那么去找VT ...

例如R4取值560K,那么保护电路起作用时,R4流过的电流大概0.01mA,由此大概推算PNP的基级电流,低一个数量级1uA应该足够。

这个地方我琢磨了一下,
要确定R4,
首先,我选择的PMOS的型号要确定,由于5V是过压保护点,所以选择Vds为10-15V的MOS管
其次,而且电路保护起作用时,PNP管已经导通,流过R4的电流等于(5.8V-0.7V)/R3,是这样计算吧?您为什么为选取560K举例呢?
再次,把上面计算出的电流,除以PNP三极管的放大倍数,得到PNP的基极电流
最后,用R2上的电压除以PNP基极电流,计算出R2,即(5.8V-0.7V-5.1V)/PNP基极电流?
这个思路对吧

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viseng| | 2019-5-16 14:43 | 只看该作者
学习下

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blade55| | 2019-5-19 10:28 | 只看该作者
xiaxingxing 发表于 2019-5-3 22:18
上电瞬间,C2,C3正端负端的电势都为VCC,然后是电容下端电荷泄放过程,不是C2更快吗?(因为(R4+R5)*C2 ...

反了吧

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blade55| | 2019-5-19 10:36 | 只看该作者
shaorc 发表于 2019-5-13 14:35
如图1,一个PMOS管参与的过压保护电路
采用稳压管VT1为5.1V稳压,这样可以将电路的过压保护点设置在5.8V
...

Q1是什么型号?给出的5.8V能使Q1导通吗?

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20
blade55| | 2019-5-19 10:45 | 只看该作者
shaorc 发表于 2019-5-13 14:35
如图1,一个PMOS管参与的过压保护电路
采用稳压管VT1为5.1V稳压,这样可以将电路的过压保护点设置在5.8V
...

R2不是为PNP门极限制电压,而是和R3一起为PNP提供基极工作电压。

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