请教一个MOSFET的问题

只看该作者 · 2008-10-13 16:54

MOSFET中的VDS是指FET导通时在D端和S端产生的压降，还是指外加的电源值最大值？用5V方波控制35V直流电源，DATASHEET上说MOSFET的VDS是20V，能用不？本人才疏学浅，还望多多指教。

3万 · 2008-10-13 17:49

Mosfet参数含义说明

Features:
Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压.一般此电压有一定的余量.
Rds(on)：DS的导致电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻.
Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低.

Absolute Maximum Ratings：
Vds:见Features.
Vgs:最大GS电压.一般为：-20V~+20V
Id:见Features.
Idm:最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系.
Pd:最大耗散功率.
Tj:最大工作结温.通常为150度和175度.
Tstg:最大存储温度.
Iar:雪崩电流.
Ear:重复雪崩击穿能量.
Eas:单次脉冲雪崩击穿能量.

Electrical Characteristics:
BVdss：DS击穿电压.
Idss:饱和DS电流.uA级的电流.
Rds(on):见Features.
Igss:GS驱动电流.nA级的电流.
gfs:跨导.
Qg:G总充电电量.
Qgs:GS充电电量.
Qgd:GD充电电量.Miller Effect.
Td(on):导通延迟时间.从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间.Tr:上升时间。输出电
压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间。
Td(off):关断延迟时间。输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间。
Tf:下降时间。输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。
Ciss:输入电容.Ciss=Cgd + Cgs.
Coss:输出电容.Coss=Cds +Cgd.
Crss:反向传输电容.Crss=Cgc.