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请问CMOS工艺的门速度和VDD电压的关系

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rubinsma|  楼主 | 2011-9-21 17:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
请问CMOS工艺的门速度和VDD电压的关系,
一般适当提高VDD电压,可以提高CMOS的门速度,
但有没有人知道为什么?
我感觉这样子的话,门电平的反转时间(转换时间)变长了,
比如1.2V的提高到1.4V,那就是到1.4V才能稳定。

又和结论矛盾。。。

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沙发
FVJFIFE| | 2011-9-26 00:46 | 只看该作者
不懂帮顶

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板凳
rubinsma|  楼主 | 2011-9-26 13:11 | 只看该作者
比如PC的CPU超频,如果不调高电压,一般来说跑的不会太稳定,
可以理解成管子速度跟不上,或者有亚稳态什么的情况。
然后把Core电压调高,就会比较稳定。
那原理是什么?
为啥会有这种情况。
我碰到一些嵌入式系统灾生产中批量死机的情况,调高Core电压会有一定改善,所以不懂来问。
有了解的吗?

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