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D类功放 MOSFET导通压降

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楼主
里昻_Lyon|  楼主 | 2011-9-28 14:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 压降, D类功放, 电压, HTML
一般来说MOSFET的导通压降为3到4V，有没有导通压降高一点的MOSFET？

在做一个D类功放，两个N、P沟道的MOSFET组成一个反相器。
mhtml:file://E:\215\2011年度大学生创新训练计划\项目制作\超声波电源\D类功放\基本D类放大器设计与分析
是不是输入的电压和接下面N沟道MOSFET的负电压差值最大不能超过导通压降呐？

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沙发
里昻_Lyon|  楼主 | 2011-9-28 14:09 | 只看该作者
没图。。。

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板凳
lyjian| | 2011-9-28 21:15 | 只看该作者
一般来说MOSFET的导通压降为3到4V，有没有导通压降高一点的MOSFET？
***********************
晕!
MOSFET的导通压降没有这么高。
还真没见过要求导通压降高一点的这种变态要求的。
你是要Vgs(on)高点的管子吧？
不要把这两个概念搞乱了。

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地板
里昻_Lyon|  楼主 | 2011-9-28 21:32 | 只看该作者
3# lyjian

IRF740的导通压降可以20V耶。

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5楼
里昻_Lyon|  楼主 | 2011-9-28 21:39 | 只看该作者
3# lyjian

哦，是啊，应该说Vgs高一点的管子。。。

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6楼
lyjian| | 2011-9-28 21:46 | 只看该作者
Vgs和Vgs(on)也是不同的参数
MOS管的Vgs最高也就+/-30V
而Vgs(on) 3~4V已经属于高的了

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7楼
里昻_Lyon|  楼主 | 2011-9-28 21:56 | 只看该作者
6# lyjian
嗯，谢啦。

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