德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存储器(P30)。这个从J3 到 P30存储器的转变可以使系统在运行中消耗更小的总电流，因为P30 VCC电压需求降低到了1.8伏。英特尔也推荐用一个LDO线性调节器来提供1.8伏的电压基准。
TPS79918的特性
TPS79918 LDO在一个小的封装内提供了外部电气特性。它具有高(大于66dB)电源电压抑制比(PSRR)、低噪声、快起动和极好的线荷载瞬态响应。在全负载时，它只消耗40μA的地电流。运行中不需要输入电容。TPS79918是用一个很小的陶瓷输出电容保持稳定的，用一个高级的BiCMOS制造过程在200mA全输出负载的情况下得到一个110mV的压差。
对于所有负载、线、过程和温度变化，它的精密电压参考和反馈回路达到2%的全精确度。可选降噪电容的增加，提供了一个极低噪声输出电压。它要求TJ从－ 40°C 到 +125°C，有三种封装方式：ThinSOT-23, 晶圆级芯片封装(WCSP), 以及 2×2 SON-6。三种封装方式的不同在于大小和能量消耗。如果我们假设周围温度为60°C，三种封装的能量消耗分别为142 mW, 156 mW,和 526 mW。这分别与最大连续负载电流119 mA, 130 mA, and 438 mA相符合。 |
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