图1表明了TPS79918的内部结构图。高电平有效的使能信号在输入电压高于欠压锁定(UVLO)门限时，将器件打开。UVLO确保输入电压可以得到，输入电压提供了一个干净的开启波形。IC保证电流限和热关断保护，以避免系统出问题。内部的500 的电阻，以及一个在NR探头上的外部的降噪电容，提供了一个RC滤波器以降低带隙噪声，这就导致了低噪声输出电压。快启开关最初使电阻短路，以便使开启时间加快到40-μs。在重负载使输出电压降低到一个轻负载的瞬间，由于有超调检测电路，IC具有很好的瞬态响应。
英特尔StrataFlash嵌入式存储器(P30)的要求
将现有的J3存储器系统转为到新的P30的存储器，需要将现有的3.0V核心电压降低到1.8 V。1.8V的核心电压需要在±0.1V范围之内调整，这可以通过TPS79918的2%的电压允许偏差来保证。LDO很好的保证了由CE#和OE#的上升沿和下降沿所引起的负载瞬态量。
图2表明甚至在从1到50mA的负载瞬态变化时，输出电压只降低了40 mV。这个性能满足了P30存储器输入电压的需求。考虑到系统性能要求，英特尔的操作说明书警告设计者既要考虑备份电流，又要考虑工作电流。图3表明，不像有些LDO，TPS79918的低静态电流在输入电压和负载电流变化的时候是常数。对于便携式的产品，低静态电流延长了电池的使用寿命。
 
图4表明TPS79918为P30存储器模块供电的简易。唯一的必要元件是LDO本身和它的输出电容。输入电容只有在3.0V的输出电容并不是挨着LDO的时候才会用到。降噪电容只有为噪声敏感元件供电的时候才需要，因此，在这种产品中不需要降噪电容。
从表1中可以看到，英特尔为它的StrataFlash嵌入式存储器(P30)特别了推荐TI LDO。这些LDO满足新的P30存储器的电气和温度需求。
 结论
TI TPS79918 LDO与英特尔的下一代StrataFlash嵌入式存储器(P30)很相配。三种封装方式可以使设计者最好的确定其大小，而且LDO的电气特性满足系统需求，即低备份电流、瞬态响应、最大电流. |
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