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异常的恒流源电路

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楼主
电路描述:
      功能:可关断、开启的发光管恒流源电路

      控制端控制MOS管Q1的导通与关断,J7是负载端,发光二极管。

      在控制端为高电平时,Q1导通,负载端接通电源,在电源刚接通时,电阻R33端电压波形如图片中的黄色线(CH1)所示。
      但有60us的电压不正常期,之后恢复正常,很是不解,请大侠们帮着分析下,谢谢



QQ截图20190416104318.png (47.65 KB )

电路图

电路图

QQ截图20190416104925.png (759.93 KB )

R33电阻波形图

R33电阻波形图

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steelen| | 2019-4-16 14:38 | 只看该作者
运放响应时间问题

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戈卫东| | 2019-4-16 15:00 | 只看该作者
3脚放一个电容抑制上升速度

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地板
戈卫东| | 2019-4-16 15:03 | 只看该作者
Power信号控制关断时,最好把运放供电也关了,否则这个信号再次给出ON信号时也会有短暂失控

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5
zhangzhanhe|  楼主 | 2019-4-16 15:30 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2019-4-16 15:03
Power信号控制关断时,最好把运放供电也关了,否则这个信号再次给出ON信号时也会有短暂失控 ...

我现在确实没关运放的电源,关的只有负载的电源。是不是这么做不太合理呢

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6
xmar| | 2019-4-16 15:34 | 只看该作者
当控制端为低时,Q1,Q2都没有导通,Q3没有电流通过,R33也没有电流通过VR33=0,U11的IN-相当于接GND,U11的IN+接1.38V,因此,U11输出高电平Q3的门极G也是高电平,其实Q3是处于导通状态,只不过D极没有电压而已。如果Q1,2突然导通,Q3实际是导通的,因此有较大的电流!
改进: 1.  将Q1的漏极与J7的1脚断开,J7的1脚直接VCC; 2. 将U10的Vin与VCC断开,然后,将Q1的漏极与U10的VIN相连接。

OK,再不会出现60us的电流脉冲。

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7
gx_huang| | 2019-4-16 15:36 | 只看该作者
运放一直有电,负载关闭了,没有反馈,运放输出电压最高。
这当然有瞬态失控的问题了。
就好比用绳子拉重物,绳子突然断掉,你就摔倒了。

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8
zhangzhanhe|  楼主 | 2019-4-16 15:44 | 只看该作者
xmar 发表于 2019-4-16 15:34
当控制端为低时,Q1,Q2都没有导通,Q3没有电流通过,R33也没有电流通过VR33=0,U11的IN-相当于接GND,U11 ...

你的意思是控制基准源的输入,控制基准电压的有无,这个应该可以。那60us的非正常态是什么造成的呢?运放响应时间慢?

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xmar 2019-4-16 15:48 回复TA
运放反馈稳定状态是需要时间的,需要60us,没错。 
9
zhangzhanhe|  楼主 | 2019-4-16 15:48 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2019-4-16 15:36
运放一直有电,负载关闭了,没有反馈,运放输出电压最高。
这当然有瞬态失控的问题了。
就好比用绳子拉重物 ...

有道理,看来这种控制方式还是不合理

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10
xch| | 2019-4-16 23:45 | 只看该作者
本帖最后由 xch 于 2019-4-16 23:56 编辑

你这电路设计不对。 找个MOSFET-N 的DS与R33串联一起。POWER 驱动这个管子开关就行了。
不用Q1.Q2等这般啰嗦还错误的设计

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11
gx_huang| | 2019-4-17 07:24 | 只看该作者
xch 发表于 2019-4-16 23:45
你这电路设计不对。 找个MOSFET-N 的DS与R33串联一起。POWER 驱动这个管子开关就行了。
不用Q1.Q2等这般啰 ...

逻辑对的,就是误差大一些,带入NMOS的内阻误差,还好NMOS内阻比较小,比100欧姆小很多。

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gx_huang 2019-4-22 09:46 回复TA
@zhangzhanhe :你慢慢想,针对他的电路,不管你是否认同,肯定是你想错了。 
zhangzhanhe 2019-4-19 21:10 回复TA
@gx_huang :不太认同,既然是串联就是说流过nmos的电流和R33是一样的,R33端对地电压是恒定的,流过R33的电流就是恒定的了,流过负载的电流也是恒定的,和nmos内阻关联确实想不通 
gx_huang 2019-4-19 16:21 回复TA
@zhangzhanhe :他这个电路,NMOS串联在采样电阻负端和地之间,你说还需要解释吗,就是串联总电阻等于采样电阻。 
zhangzhanhe 2019-4-19 09:52 回复TA
恒流大小等于基准电压除以采样电阻,能解释下,NMOS管内阻是怎么影响恒流精度的吗? 
12
william008| | 2019-4-17 09:19 | 只看该作者
本帖最后由 william008 于 2019-4-17 12:18 编辑

加一个二极管1N4148,再加一个Q5把逻辑取反一下。如图。当控制端给高电平时,Q1关闭,Q3也关闭。就不会出现楼上几位分析的那种情况了。

1.png (319.19 KB )

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13
xch| | 2019-4-17 10:01 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2019-4-17 07:24
逻辑对的,就是误差大一些,带入NMOS的内阻误差,还好NMOS内阻比较小,比100欧姆小很多。 ...

带入焊点焊锡内阻吧。

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14
coody| | 2019-4-17 10:20 | 只看该作者
没有电流时,运放饱和输出高,Q3栅极有高电压而饱和导通,电流开通后,Q3退出饱和要点时间。

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15
zhangzhanhe|  楼主 | 2019-4-17 10:28 | 只看该作者
william008 发表于 2019-4-17 09:19
加一个二极管1N4148,如图。当控制端给高电平时,Q1关闭,Q3也关闭就不会出现楼上几位分析的那种情况了。
...

Q1关闭,控制端是低电平,Q3怎么关闭?

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16
william008| | 2019-4-17 12:19 | 只看该作者
zhangzhanhe 发表于 2019-4-17 10:28
Q1关闭,控制端是低电平,Q3怎么关闭?

12楼已更新,改成控制端高电平时关闭Q1

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17
zhangzhanhe|  楼主 | 2019-4-17 13:10 | 只看该作者
william008 发表于 2019-4-17 09:19
加一个二极管1N4148,再加一个Q5把逻辑取反一下。如图。当控制端给高电平时,Q1关闭,Q3也关闭。就不会出现 ...

这个可以

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18
zhangzhanhe|  楼主 | 2019-4-17 13:18 | 只看该作者
william008 发表于 2019-4-17 12:19
12楼已更新,改成控制端高电平时关闭Q1

顺着你的思路,可以把Q2更换成PNP管,可以把Q5省略掉了

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19
william008| | 2019-4-17 13:24 | 只看该作者
zhangzhanhe 发表于 2019-4-17 13:18
顺着你的思路,可以把Q2更换成PNP管,可以把Q5省略掉了

这是可以的。
但如果控制端是3.3V的逻辑电平,Q2换成PNP管,Q2的输出高电平并不是5V,那么Q1关闭得不是很彻底。所以我才加了Q5。
如果控制端是5V的逻辑电平,Q2换成PNP是可以的。

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20
william008| | 2019-4-17 13:35 | 只看该作者
zhangzhanhe 发表于 2019-4-17 13:18
顺着你的思路,可以把Q2更换成PNP管,可以把Q5省略掉了

如果控制端是3.3V逻辑电平,可以把Q2改成同相门。

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