内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H

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 楼主| DGZM699 发表于 2019-4-16 15:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
                   内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H

一 概述

PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306H集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。




二 特性

*内置8欧姆 40V Trench MOSFET

*适用于DCM和QR工作模式

*自适应次级电流检测电路

*优异全面的辅助功能

欠压保护

过压钳位

防误开启


三 应用领域
5V电池充电器及适配器

评论

@dirtwillfly :不客气~~  发表于 2020-4-14 10:02
感谢分享  发表于 2019-4-18 20:54
请叫我树人 发表于 2019-4-19 08:55 | 显示全部楼层
好帖子啊!帮你顶住啊!
tianxj01 发表于 2020-4-16 16:52 | 显示全部楼层
你确认是8欧姆?1A工作电流,压降是8V?那就是寄生二极管直接导通,根本没MOS什么事情了。
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