内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306M
一 概述
PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。
PN8306M处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到Vsw<-400Mv,控制器驱动功率MOSFET开启；当芯片检测到Vsw>-10mV时，控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片提供了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位等功能。
二 特性
*内置15mΩ 40V Trench MOSFET
*适用于DCM和QR工作模式
*高精度次级电流检测电路
*优异全面的辅助功能
**欠压保护
**过压钳位
三 应用领域
* 5V电池充电器及适配器 |
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