如何解决MOS管驱动变压器发烫？

发表于 2008-6-9 09:26

MOS管驱动一脉冲变压器，很快发烫 圈数受限，不能增加电感量，还有什么法子让MOS管温度低些， 散热也到极限了，MOS管导通电阻已经是很小，7毫欧了

发表于 2008-6-9 09:39

发表于 2008-6-9 09:42

发表于 2008-6-9 09:47

“NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。     PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。” 其中所说的“低端驱动”、“高端驱动”是什么意思呢？  这是我查的资料 请问为什么啊

发表于 2008-6-9 10:02

发表于 2008-6-9 10:07

发表于 2008-6-9 10:24

频率大概20K吧

发表于 2008-6-9 10:27

发表于 2008-6-9 11:13

发表于 2008-6-9 12:57

从标题“如何解决MOS管驱动变压器发烫？”我就无论如何看不出“当然”。 汉语中，“MOS管”是“驱动变压器”的定语。

发表于 2008-6-10 09:24

给个QQ好不，我拜你为师

发表于 2008-6-10 09:29

123

发表于 2008-6-10 10:13

另外，还可能跟变压器饱和有关。

发表于 2008-6-10 10:15

我只是改改参数，，， 其实我也不大懂

发表于 2008-6-11 09:08

发表于 2008-6-11 17:41

发表于 2008-6-11 22:24

变压器后面是不是应该相当于是倍压整流？如果是的话好像接错了。。。

发表于 2008-6-12 09:06

发表于 2008-6-12 09:42

电感三点式，频率由C1、T1漏感决定，负载是容性，可知T1漏感较大，否则不容易起振。（起振后由于C4、C7上建立电压，振荡倒是很容易维持） 这个电路发热是必然的，因为电压波形为正弦波，而Q1导通角较大，用示波器可发现负半周接近方波，这个时候Q1导通损耗比较大，在24V上串个高频扼流圈比较好，其感抗要超过振荡器的交流阻抗许多才好。

发表于 2008-6-12 09:58

我原以为是开关损耗大

如何解决MOS管驱动变压器发烫？

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要做成高端驱动哦!

什么是高端驱动哦?不懂，请指教

难道让我用P沟道MOS管？

工作电压？频率？电流？方式？

用NMOS,负载接D,S直接接地。

梅川，我就是这么接的啊

是MOS发烫还是变压器发烫？

当然是MOS管了啊

当然是？

对不起，我错了

123

晕...这个电路不好...C1怎么这样接？还有正激短路？

这个图不是那电感反馈式震荡电路吗

up

晕，别光UP啊

图是不是错了？

把3205的开关频率降下来看看

这个电路发热是必然的

LZ把各点的波形给出看看

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