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zyzyzy407|  楼主 | 2011-10-15 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 zyzyzy407 于 2011-10-15 17:48 编辑

小弟做了个flash存储的东西 用的是DSP2812 flash用的是三星的K9F2G08UXA 256M乘8bit的 通过2812的外部接口xintf与flash连接的如图
问题主要是flash的片选信号
我看了flash的手册的时序图a是这样的
图中的CE是时序线的带隐形的方块应该是电平无所谓吧?(小弟一直是这么理解的) 也就是说这5个Address的cycle可以分别写入flash的寄存器吧?但flash手册中的另一个时序图b如下

这里的片选CE一直为低电平 到底应该参照哪个呀?若图参照图b的话 我想我的原理图就不对了
问题:时序图中的阴影到底代表什么?这个flash的address的5个cycle写时ce用一值置低电平吗?还是每个cycle置一次分别写5次地址就成呢?我的原理图是否正确?

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沙发
airwill| | 2011-10-16 16:10 | 只看该作者
对于存储器的读时序, 两个图都能完成读数据.
cpu 通常是下面一张图常见.
时序图上的阴影部分: 通常可以理解为无效区域. 输出信号(如上图 CLE, CE, ALE)可以看作是无效信号,输入信号是不确定状态或者高阻状态. 总之是不需要去关心的部分.

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板凳
zyzyzy407|  楼主 | 2011-10-16 18:31 | 只看该作者
阴影部分和我理解的一样 主要现在的问题是在向flash写这5个地址时选片信号CE是一直置低还是写一个地址置一次总共置低5次呀?因为我的flash的片选信号CE是连在DSP的xintf的xzcs2上的xintf的读写时序是只有在向xintf读写时xzcs2才置低电平 2# airwill

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地板
zyzyzy407|  楼主 | 2011-10-18 19:47 | 只看该作者
本帖最后由 zyzyzy407 于 2011-10-18 19:55 编辑

实际试了试2个读写flash的函数(自己写的试了试)没问题 但就是擦写flash不知为什么擦写不了 着急啊 不知大侠用过没用过此flash 2# airwill
就是读flash状态老是FF 为什么呀?

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airwill| | 2011-10-29 19:02 | 只看该作者
本帖最后由 airwill 于 2011-10-29 19:03 编辑

Program Time    200~700 µs   有没有满足足够编程擦除时间?

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zyzyzy407|  楼主 | 2011-10-29 21:35 | 只看该作者
重新焊了快flash 读写擦都成了 谢谢了 5# airwill

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