特征:
全静态CMOS 设计
8 位数据总线
片上FLASH ROM 大小: 2.0 K
内部RAM 大小: 256 字节
内部EEPROM 大小: 256 字节
37 单字节指令
14-位指令宽度
8 级堆栈
工作电压: 2.5 V ~ 5.5 V (PEDH 关)
4.5 V ~ 5.5 V (PEDH 开)
工作频率: DC ~ 20 MHz
采用主控芯片EN8F677E本身的低电压复位功能来实现电子烟的短路保护，把芯片的LVR设定在2.4V，当负载端短路时，芯片的VDD脚瞬间被拉低到2.4V以下，芯片复位，NMOS。管的控制脚回到上电复位的状态，即为低电平切断NMOS来保护MOS管。
由于电池直接连到EN8F677E的VDD上，通过把芯片内部基准电压作为输入，用VDD来作参考，因为内部基准电压是固定的，所以只要 VDD上的电压有变化时，采到的AD值也会有相应的变化，利用AD值来反算出电池端的电压，当EN8F677E芯片检测到电池电压高于4.2V时，让NMOS的控制脚输出低电平关断NMOS来切断充电端与电池之间的充电回路，防止电池过充。EN8F677E芯片采用内部基准，测量电池电压，除了省去了外部参考源， 同时也节省了分压电阻。 |
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