中颖MCU专用《FLASH、类EEPROM 读写库》

1万 · 2011-10-19 06:53

一、简介
自从上次编写了中颖单片机C51定点库、浮点库专用运算库函数，再接再励，完善中颖单片机通用库函数，特编写了《中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库》，适于于中颖SH79/88/89系列对片内FLASH、类EEPROM 的读出和写入，完善对中颖单片机的技术支持。

二、中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库清单

/***************************************************************************************
Model  : flash-sh88f51.h
Description : Head file of defining global variable.
Author  : CLR
Create Time : 2011-10-19
Version ID  : 1.5
用  途    ：中颖SH79/88/89F51系列MCU
作  者    ：许意义
21ic  ID ：LAOXU
中颖论坛 : bbs.21ic.com
****************************************************************************************/

#ifndef  _FLASH_SH88F51_H
#define  _FLASH_SH88F51_H

#pragma  MODDP2    // 打开中颖单片机双DPTR功能，加速数据传送
//#pragma  NOMODDP2 // 关闭中颖单片机双DPTR功能

/*--------------------------------------------------------------------------------------*/
/*    Resource - FLASH_SH88F51.asm          */
/*--------------------------------------------------------------------------------------*/

extern  uint8  read_eeprom_u8 (uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出char型变量
extern  uint16 read_eeprom_u16(uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出int型变量
extern  uint32 read_eeprom_u32(uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出long型变量
extern void read_eeprom_str(uint16 u16_addr, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从eeprom/flash中读出字符串, 存储在char*指向的RAM中
extern void erase_eeprom(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_FAC);          // 擦除eeprom/flash的指定页
extern bit write_eeprom_u8 (uint8  u8_data,  uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将char型变量写入指定的eeprom/flash中
extern bit write_eeprom_u16(uint16 u16_data, uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将int型变量写入指定的eeprom/flash中
extern  bit write_eeprom_u32(uint32 u32_data, uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将long型变量写入指定的eeprom/flash中
extern  bit write_eeprom_str(uint16 u16_addr, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 将char*指向的字符串写入指定的eeprom/flash中
extern bit  read_eeprom_like(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
extern bit write_eeprom_like(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
                                             // 入口要求: u8_FAC=1 指定eeprom时，u8_len > 1；u8_FAC=0 指定flash时，u8_len > 4
                                             // 返回:  C=0 --> 读写成功，C=1 --> u8_len长度不符规定或末成功写入

/* 中颖单片机EEPROM或FLASH数据读出/写入库内部调用函数
extern void read_rom_dptr1(int16 u16_DPTR1);       // 从@DPTR1中读出1byte EEPROM或FLASH数据(其FAC位已预设定)送ACC, DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_1(uint8  u8_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和char型变量相比较，DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_2(uint16 u16_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和 int型变量相比较，DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_4(uint32 u32_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和long型变量相比较，DPTR1++
extern void write_rom_dptr1(int8 u8_ACC);       // 将ACC中数据写入@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中(其FAC位已预设定),DPTR1++
extern void write_eeprom_1(uint8  u8_data)          // 将char型变量写入指定的eeprom/flash中
extern void write_eeprom_2(uint16 u16_data)       // 将 int型变量写入指定的eeprom/flash中
extern void write_eeprom_4(uint32 u32_data)       // 将long型变量写入指定的eeprom/flash中
extern bit check_eeprom_null(uint8 u8_len);       // 检查当前写入页中，len长度的空间是否为空 null
extern bit locate_eeprom(uint8 u8_eeprom_count_len); // 寻找index当前写入页中，是否有len长度的空间充许写入
*/

#endif

三、便用说明
只需要在编译程序过程中，加入《中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库》----FLASH-SH88F51.LIB，其他什么事都不用干！在编译过程中实现自动插入，无缝嵌入。

四、友情提示
本《中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库》，仅适用于中颖SH79/88/89系列单片机，其他51单片机并不适用，由于Keil C51不支持中颖51单片机的软件仿真，所以必须要用中颖51单片机的硬件仿真或依靠中颖51单片机的实时运行，读写结果才能正确。

1万 · 2011-10-19 06:53

FLASH-SH88F51.rar (5.2 KB)

只看该作者 · 2011-10-19 13:47

感谢许老兄为客户产品使用和中颖产品推广所做的努力，顶起~~~

2万 · 2011-10-20 10:07

赞楼主一个

只看该作者 · 2011-10-20 10:50

楼主，不好意思。你的程序我没有空看，但是烧写EEPROM和flash的程序需要加上抗干扰措施，否则很有可能跑飞掉然后误擦除eeprom和FLASH，所以说，这个库要谨慎使用，谨慎使用！！！！

2万 · 2011-10-20 17:22

版主说的我毛骨悚然

2万 · 2011-10-20 17:27

1万 · 2011-10-20 19:18

楼主，不好意思。你的程序我没有空看，但是烧写EEPROM和flash的程序需要加上抗干扰措施，否则很有可能跑飞掉然后误擦除eeprom和FLASH，所以说，这个库要谨慎使用，谨慎使用！！！！ ...
bananarer 发表于 2011-10-20 10:50

汗~~~ :L

假如严格按照中颖的技术要求读写FLASH, 类EEPROM，还会跑飞程序，然后误擦除eeprom和FLASH的话，只能说明中颖的芯片太山寨了~~~ :P

附，SSP编程注意事项：
为确保顺利完成SSP编程，用户软件必须按以下步骤设置。
A. 用于代码/数据编程：
1. 关闭中断；
2. 根据地址设置XPAGE、IB_OFFSET；
3. 按编程需要，设置IB_DATA；
4. 按照顺序设置IB_CON1~5；
5. 添加4个NOP指令；
6. 开始编程，CPU将进入IDLE模式；编程完成后自动退出IDLE模式；
7. 如需继续写入数据，跳转至第2步；
8. XPAGE寄存器清0；恢复中断设置。
B. 用于扇区擦除：
1. 关闭中断；
2. 按相应的扇区设置XPAGE；
3. 按照顺序设置IB_CON1~5；
4. 添加4个NOP指令；
5. 开始擦除，CPU将进入IDLE模式；擦除完成后自动退出IDLE模式；
6. 如需继续擦除数据，跳转至第2步；
7. XPAGE寄存器清0；恢复中断设置。
C.读取：
使用“MOVC A, @A+DPTR” 或者 “MOVC A, @A+PC”指令。

只看该作者 · 2011-10-21 10:39

中颖建议加抗干扰措施，所以，能不能看一下你的部分源码呀，

只看该作者 · 2011-10-21 12:34

汗~~~ :L

假如严格按照中颖的技术要求读写FLASH, 类EEPROM，还会跑飞程序，然后误擦除eeprom和FLASH的话，只能说明中颖的芯片太山寨了~~~ :P

附，SSP编程注意事项：
为确保顺利完成SSP编程，用户软件必须按 ...
Cortex-M0 发表于 2011-10-20 19:18

楼主的热情我很赞赏，但是spec上面的只是编程步骤，如果在强干扰情况下，PC指针跑飞掉，跑到烧写程序，但是没有做一些抗干扰措施，很有可能乱写的。
可以参考置顶的我的帖子，加上抗干扰措施会更好。

https://bbs.21ic.com/icview-245944-1-1.html

1万 · 2011-10-21 14:30

官方建议加抗干扰措施:
FLASH/类EEPROM 烧写/擦除的超级抗干扰措施
1)  在程序下载时，选择中代码选项中的“Enable LVR function”。
2)  上述程序示例中的步骤2 中，对XPAGE 写立即数。
3)  在调用烧写或擦除函数前，置一个标志，比如0EBH；在烧写或擦除函数中判断此
标志是否为0EBH，否则清零此标志，退出函数。示例如下：
… …
MOV    FlashFlag，#0EBH
LCALL EreaseFlash
… …
… …
EreaseFlash:
   MOV    A, FlashFlag
   CJNZ    A,#0EBH, EreaseFlashExit
                  … …
                  … …
EreaseFlashExit:
                  MOV    FlashFlag，#0
                  RET
注意：以上三点非必须执行，可视干扰程度及程序结构等选用，建议“3)”必选。

///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

个人意见：
官方的三点建议，除第一第二条俺赞同，第三条俺持保留意见，因为，要加一个全届变量，势必影响程序的可移植性，另外，程序乱写时，那么多RAM, 你设置的一个BYTE参照变量，也不一定会被改写，因此，起的作用极其有限。

在擦除子函数中，加入了必须传送两次PAGE页，以提高抗干扰性，其他的写入程序就不加了，你们自己用，愿意怎么改都行。

下面文件带源程序。

FLASH-SH88F51.rar (62.64 KB)

1万 · 2011-10-21 16:05

头文件清单：

/***************************************************************************************
Model : flash-sh88f51.h
Description : Head file of defining global variable.
Author : CLR
Create Time : 2011-10-19
Version ID  : 1.5

用  途    ：中颖SH79/88/89F51系列MCU
作  者    ：许意义
21ic  ID ：LAOXU
中颖论坛 : bbs.21ic.com
****************************************************************************************/
#ifndef _FLASH_SH88F51_H
#define _FLASH_SH88F51_H

#pragma  MODDP2    // 打开中颖单片机双DPTR功能，加速数据传送
//#pragma  NOMODDP2    // 关闭中颖单片机双DPTR功能

/*--------------------------------------------------------------------------------------*/
/* Resource - FLASH_SH88F51.asm */
/*--------------------------------------------------------------------------------------*/

extern  uint8  read_eeprom_u8 (uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出char型变量
extern  uint16 read_eeprom_u16(uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出int型变量
extern  uint32 read_eeprom_u32(uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出long型变量
extern bit write_eeprom_u8 (uint8  u8_data,  uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将char型变量写入指定的eeprom/flash中
extern bit write_eeprom_u16(uint16 u16_data, uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将int型变量写入指定的eeprom/flash中
extern  bit write_eeprom_u32(uint32 u32_data, uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将long型变量写入指定的eeprom/flash中
extern  bit write_eeprom_str(uint16 u16_addr, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 将char*指向的字符串写入指定的eeprom/flash中
extern void read_eeprom_str(uint16 u16_addr, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从eeprom/flash中读出字符串, 存储在char*指向的RAM中

/*--------------------------------------------------------------------------------------*/
/* 下面为中颖标准型号FLASH(page=1k)读写专用 */
/*--------------------------------------------------------------------------------------*/

extern void erase_eeprom(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_FAC);  // 擦除eeprom/flash的指定页，要求page连续送两遍，以提高抗干扰性(注：适用标准型号flash page=1k)

extern bit  read_eeprom_like(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
extern bit write_eeprom_like(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
                                             // 入口要求: u8_FAC=1 指定eeprom时，u8_len > 1；u8_FAC=0 指定flash时，u8_len > 4 (注：适用标准型号flash page=1k)
         // 返回:  C=0 --> 读写成功，C=1 --> u8_len长度不符规定或末成功写入

/*--------------------------------------------------------------------------------------*/
/* 下面为中颖老型号FLASH(page=2k)读写专用         */
/*--------------------------------------------------------------------------------------*/

extern void erase_eeprom2(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_FAC); // 擦除eeprom/flash的指定页，要求page连续送两遍，以提高抗干扰性(注：适用老型号flash page=2k)
extern bit  read_eeprom_like2(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
extern bit write_eeprom_like2(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
                                             // 入口要求: u8_FAC=1 指定eeprom时，u8_len > 1；u8_FAC=0 指定flash时，u8_len > 8 (注：适用老型号flash page=2k)
         // 返回:  C=0 --> 读写成功，C=1 --> u8_len长度不符规定或末成功写入

/* 中颖单片机EEPROM或FLASH数据读出/写入库内部调用函数
extern void read_rom_dptr1(int16 u16_DPTR1);       // 从@DPTR1中读出1byte EEPROM或FLASH数据(其FAC位已预设定)送ACC, DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_1(uint8  u8_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和char型变量相比较，DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_2(uint16 u16_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和 int型变量相比较，DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_4(uint32 u32_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和long型变量相比较，DPTR1++
extern void write_rom_dptr1(int8 u8_ACC);          // 将ACC中数据写入@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中(其FAC位已预设定),DPTR1++
extern void write_eeprom_1(uint8  u8_data)          // 将char型变量写入指定的eeprom/flash中
extern void write_eeprom_2(uint16 u16_data)       // 将 int型变量写入指定的eeprom/flash中
extern void write_eeprom_4(uint32 u32_data)       // 将long型变量写入指定的eeprom/flash中
extern bit check_eeprom_null(uint8 u8_len);       // 检查当前写入页中，len长度的空间是否为空 null
extern bit locate_eeprom(uint8 u8_eeprom_count_len); // 寻找index当前写入页中，是否有len长度的空间充许写入
*/

#endif