非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展，非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。
非易失性存储器技术简介
很多存储系统的写操作程序中，内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁，提供更快速的性能，但是如果发生突然间断电的情况，如何保护内存中的数据不丢失，这是存储系统中老生常谈的议题。易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候，里面的数据会丢失，就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失，像硬盘等外存。
锂电池在非易失性存储系统中的应用
锂电池具有高存储能量密度、额定电压高的优点。能量密度大约是铅酸电池的6~7倍，更能满足较长时间的备电要求，锂电池的端电压大小一般为3.6V，便于组成电池电源组。锂电池自放电率很低，高低温适应性强。
业界厂商通过铿电池在断电情况下保护内存中的数据72小时不丢失，为消除时间限制，各大厂商又推出锂电池+闪存芯片的技术，如图所示。
在断电的情况下，锂电池提供电量，将内存中的数据写入到闪存芯片中，这样有效保护内存中的数据。
NVDIMM在非易失性存储系统中的应用
超级电容是近年发展起来的一种新型储能元件，主要是通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但是在其储能的过程中并不发生化学反应，这个工程是可逆的。用于存储电荷的面积越大，分离出的电荷越密集，其电容量越大。
非易失性内存（NVDIMM）是一项蓬勃发展的实用存储技术，其系统架构如图所示。
通过整合DRAM、Flash、智能系统控制器以及超级电容模块，NVDIMM可以提供一个高度稳定的存储子系统。它既保留了最快DRAM的低延迟和无读写次数限制特性，又获得了Flash的数据长期保存特性。而采取超级电容作为供电设备，则避免了电池的环境污染，充电时间长，价格昂贵等缺点。NVDIMM的设计使其可以轻松插人符合行业标准的服务器和存储平台的DIMM插槽，则无需在主板中为其留取安放位置，可以轻松扩展现有装置的性能。
NVDIMM通过与超级电容的有效结合，最终达到非易失性复合**的目标，它正得到越来越多的厂家关注和投入其中。系统正常运行时，超级内存表现为普通DRAM，但在掉电时，由超级电容供电数秒，NVDIMM能迅速将内存数据转移到闪存中。当电力恢复后，NVDIMM能快速还原数据，系统瞬间恢复至掉电前的工作状态继续工作，从而达到了掉电保护的目的。
新型的非易失性存储器
RRAM，又称为忆阻器，为制造非易失性存储设备，模拟人类大脑处理信息的方式铺平了道路。RRAM由两个金属电极夹一个薄介电层组成，在正常状态下它是绝缘体，它以纳米器件加工技术为基础是一种有**功能的非线性电阻。
每个忆阻器有一个底部的导线与器件的一边接触，一个顶部的导线与另一边接触。忆阻器是一个由两个金属电极夹着的氧化钦层构成的双端，双层交叉开关结构的半导体。其中一层氧化钦掺杂了氧空位，成为一个半导体；相邻的一层不掺杂任何东西，让其保持绝缘体的自然属性，通过检测交叉开关两端电极的阻性，就能判断RRAM的“开”或者“关”状态，如图所示。
忆阻器除了其独特的“**”功能外，有两大特性使其被业界广泛看好。一是其具有更短的存储访问时间，更快的读写速度，其整合了闪存和DRAM的部分特性;二是其存储单元小和制造工业可以升级，忆阻器的尺寸可以做到几个纳米，很有可能将微电子技术的发展带人到下一个十年，而且其可以与CMOS技术相兼容等优势，是下一代非易失性存储技术的发展趋势。
非易失存储器25LC256-I/SN www.dzsc.com/ic-detail/9_8488.html参数
存储器类型：非易失
技术：EEPROM
存储容量：256Kb （32K x 8）
时钟频率：10MHz
写周期时间-字，页：5ms
存储器接口：SPI
电压-电源：2.5 V ~ 5.5 V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIJ
湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
制造商标准提前期：17 周
系列：-
包装：管件
零件状态：在售
存储器格式：EEPROM
存储器类型：非易失
存储容量：256Kb（32Kx8）
速度：10MHz
接口：SPI串行
电源电压：2.5V~5.5V
工作温度：-40°C~85°C（TA）
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC
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