如何估算普通MOSFET的S参数

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 楼主| EAMCU 发表于 2011-10-20 16:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
30MHz 5W放大器,看网上可以采用普通的MOSFET实现,不一定要采用RF MOSFET
比如IRF510,由于其输入/输出电容较小,甚至可以做到50MHz

但是问题是,这类MOSFET的datasheet上没有给出测量的S参数值,只给出了常规的值

请问,如果根据Ciss,Coss,Crss以及增益特性估算出S参数(或者其输入和输出阻抗计算方法)呢?不需要很精确,我想的是估算出大概值,然后计算稳定性和阻抗匹配,然后用软件模拟,根据模拟结果微调,最后再试验

请问,这方面有参考资料么?
HWM 发表于 2011-10-20 20:25 | 显示全部楼层
re LZ:

根据等效模型可以估算出S参数,但和实际误差一般较大。这不仅是理想模型和实际器件的差异,而且还存在器件参数的离散性。靠谱的是实测。
chunyang 发表于 2011-10-20 21:32 | 显示全部楼层
这个确实是需要测试的,否则厂家会给出。
 楼主| EAMCU 发表于 2011-10-21 09:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 EAMCU 于 2011-10-21 09:19 编辑

2# HWM

能给个等效模型到S参数推导的参考资料么?先了解一下
 楼主| EAMCU 发表于 2011-10-21 09:15 | 显示全部楼层
3# chunyang

因为不是专门的RF MOSFET,是普通电源用的MOSFET,所以厂家并未给出针对RF应用的S参数。
我自己没有测试设备。。。
HWM 发表于 2011-10-21 09:57 | 显示全部楼层
to 6L:

MOSFET的高频等效模型可以到相关书中找(高频电子电路与器件类)。S参数可以按其定义直接从与模型对应的二端口网络中导出(射频和微波类书中都有阐述)。现在问题是普通MOSFET数据手册中的参数在高频下是否可用,如果不能保证的话(通常不能),算出的数据也没什么意义。

其实,不如就实际盲调一下(30MHz不算太高),也许瞎猫还真碰上了死耗子。
guosr 发表于 2011-10-21 13:14 | 显示全部楼层
30M的频率还不是很高,如果外部引线不太长,分布参数影响可控的话,完全可以在PSPICE中修改MOS管参数进行仿真。
 楼主| EAMCU 发表于 2011-10-24 10:24 | 显示全部楼层
根据等效模型进行了初步计算,有个新问题,究竟是Z矩阵的Z11是输入阻抗,还是h矩阵的h11是输入阻抗?
HWM 发表于 2011-10-24 21:01 | 显示全部楼层
to 10L:

Z是阻抗(自阻或互阻)参数,而h则是混合参数,两者定义不同。

Z11定义的是输出开路时的输入阻抗(电压源),而h11定义的是输出短路时的输入阻抗(电流源)。但有一点是共通的,它们都是输出空载时的输入阻抗。
 楼主| EAMCU 发表于 2011-10-25 13:45 | 显示全部楼层
那么晶体管放大器中,把输入部分的阻抗匹配成50ohm,应该选哪个作为放大部分的输入阻抗呢?
HWM 发表于 2011-10-25 13:51 | 显示全部楼层
to 12L:

晶体管通常使用混合(即h)参数。
mic1984 发表于 2011-10-25 19:47 | 显示全部楼层
不知这样可以不?

建立大信号模型。
用一般的MOSFET模型适当的修改,建立仿真模型进行loadpull参数提取,然后再设计。
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